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MOSFET驅(qū)動(dòng)及工作區(qū)的問(wèn)題分析

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小融一號(hào)

發(fā)布時(shí)間: 2016-12-20 13:48

正文摘要:

問(wèn)題1：最近，我們公司的技術(shù)專(zhuān)家在調(diào)試中發(fā)現(xiàn)，MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)高，會(huì)導(dǎo)致電路過(guò)載時(shí)，MOSFET中電流過(guò)大，于是把降低了驅(qū)動(dòng)電壓到6.5V，之前我們都是在12V左右。這種做法感覺(jué)和您在文章里第四部份似乎很相似，這樣 ...

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