如圖所示為300kHz信號發生器。它由VT1、T1、VD4及相關元件組成壓控振蕩器。壓控振蕩器采用LC集電極調諧式，VT1為振蕩管，由變容二極管VD4、電容C3～C6和變量器T1的1～3繞組的電感組成調諧回路， ...

如圖所示為HCMOS集成電路組成的48MHz晶體振蕩器。晶體的基波頻率為l6MHz，但振蕩器強制工作于三次諧波。諧波振蕩器的關鍵是抑制晶體的基頻，圖中的并聯諧振電路在晶體的基頻下諧振，它和晶體SJT ...

如圖所示為60MHz晶體振蕩器，主要是由晶體振蕩電路和緩沖放大電路等組成。晶體三極管VT1為60MHz的晶體振蕩器，振蕩器的輸出送至晶體三極管VT2的緩沖放大器進行信號放大，它的發射極有較大的反饋 ...

如圖所示為70MHz晶體振蕩電路。它由晶體振蕩器、緩沖放大器、選頻放大器等組成。它的主要功能是把晶體振蕩器輸出的弱信號，通過放大電路，再經選頻放大后，輸出70MHz的基頻頻率信號。 元器 ...

如圖所示為考畢茲振蕩器電路。它帶一個基頻率晶體，其頻率為1499kHz，晶體SJT并接在電容C2、C3兩端。射極分壓電阻R2、R3提供基本的反饋信號，反饋受電容分壓器C2、C3的控制。晶體SJT起振工作后 ...

如圖為70MHz并聯型晶體振蕩電路。振蕩器主要是由三極管VTl、晶體SJT及電容C1、C5等元件組成。 元器件選擇： 電容C1為20p，C2為100p，C3、C7為820p，C4為56p，C5、C8為47p，C6為47μF／50V ...

如圖所示的高頻振蕩器，可作為高頻信專發生器，選擇不同的電容值能夠在56～484kHz范圍內產生一個高頻正弦波。該電路具有剃出波形好、頻率穩定度高，輸出阻抗低等特點。 元器件選擇： ...