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晶圓生產工藝流程介紹
熱度 1 |
晶圓生產工藝流程介紹
1、 表面清洗
2、 初次氧化
3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。
（1）常壓 CVD (Normal Pressure CVD)
（2）低壓 CVD (Low Pressure CVD)
（3）熱 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)
（4）電漿增強 CVD (Plasma Enhanced CVD)
（5）MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成長 (Molecular Beam Epitaxy)
（6）外延生長法 (LPE)
4、 涂敷光刻膠
（1）光刻膠的涂敷
（2）預烘 (pre bake)
（3）曝光
（4）顯影
（5）后烘 (post bake)
（6）腐蝕 (etching)
（7）光刻膠的去除
5、 此處用干法氧化法將氮化硅去除
6 、離子布植將硼離子 (B+3) 透過 SiO2 膜注入襯底，形成 P 型阱
7、 去除光刻膠，放高溫爐中進行退火處理
8、 用熱磷酸去除氮化硅層，摻雜磷 (P+5) 離子，形成 N 型阱
9、 退火處理，然后用 HF 去除 SiO2 層
10、干法氧化法生成一層 SiO2 層，然后 LPCVD 沉積一層氮化硅
11、利用光刻技術和離子刻蝕技術，保留下柵隔離層上面的氮化硅層
12、濕法氧化，生長未有氮化硅保護的 SiO2 層，形成 PN 之間的隔離區
13、熱磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除柵隔離層位置的 SiO2 ，并重新生成品質更好的 SiO2 薄膜 , 作為柵極氧化層。
14、LPCVD 沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進行光刻，以及等離子蝕刻技術，柵極結構，并氧化生成 SiO2 保護層。
15、表面涂敷光阻，去除 P 阱區的光阻，注入砷 (As) 離子，形成 NMOS 的源漏極。用同樣的方法，在 N 阱區，注入 B 離子形成 PMOS 的源漏極。
16、利用 PECVD 沉積一層無摻雜氧化層，保護元件，并進行退火處理。
17、沉積摻雜硼磷的氧化層
18、?鍍第一層金屬
（1） 薄膜的沉積方法根據其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。
（2） 真空蒸發法（ Evaporation Deposition ）
（3） 濺鍍（ Sputtering Deposition ）
19、光刻技術定出 VIA 孔洞，沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結構。然后，用 PECVD 法氧化層和氮化硅保護層。 20、光刻和離子刻蝕，定出 PAD 位置
21、最后進行退火處理，以保證整個 Chip 的完整和連線的連接性
