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標(biāo)題: MOSFET 晶體管：STF22NM60N，QCPL-A58JV-500E，IPB029N15NM6 [打印本頁]

作者: xingjijinhua 時(shí)間: 2025-3-8 11:12
標(biāo)題: MOSFET 晶體管：STF22NM60N，QCPL-A58JV-500E，IPB029N15NM6
STF22NM60N 600V MDmesh™ II N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述
STF22NM60N 是采用第二代 MDmesh™ 技術(shù)開發(fā)的 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。

特性
100% 經(jīng)過雪崩測(cè)試
低輸入電容和柵極電荷
低柵極輸入電阻

應(yīng)用
開關(guān)應(yīng)用

帶 R2Coupler™ 隔離功能的 QCPL-A58JV-500E 汽車光 MOSFET

產(chǎn)品描述
QCPL-A58JV-500E 由一個(gè) AlGaAs 紅外發(fā)光二極管 (LED) 輸入級(jí)與一個(gè)高壓輸出檢測(cè)器電路光學(xué)耦合組成。檢測(cè)器由高速光電二極管陣列和驅(qū)動(dòng)電路組成，用于接通/斷開兩個(gè)分立式高壓 MOSFET。光 MOSFET 打開（觸點(diǎn)閉合）時(shí)，通過輸入 LED 的最小輸入電流為 7 mA。輸入電壓為 0.4V 或更低時(shí)，光 MOSFET 關(guān)斷（觸點(diǎn)打開）。

特性
擊穿電壓，BVDSS：IDSS = 250 µA 時(shí)為 1500V
雪崩額定 MOSFET
低關(guān)態(tài)漏電：
- 在 VDS = 1000V 時(shí)，QCPL-A58JV 的 IOFF < 1 µA
- VDS = 1000V 時(shí)，QCPL-A58JT 的 IOFF < 5 µA
導(dǎo)通電阻，在 ILOAD = 10 mA 時(shí)，RDS(ON) < 250Ω
開啟時(shí)間： TON < 4 ms
關(guān)斷時(shí)間： TOFF < 0.5 ms
封裝：300 密耳 SO-16
爬電距離和間隙 ≥ 8 mm（輸入-輸出）
間隙 > 5 mm（MOSFET 漏極引腳之間）
安全和監(jiān)管認(rèn)證：
- IEC/EN/DIN EN 60747-5-5
- 最大工作絕緣電壓 1414 VPEAK
- 1 分鐘 5000 VRMS，符合 UL1577 標(biāo)準(zhǔn)
- CSA 元件驗(yàn)收

應(yīng)用
電池絕緣電阻測(cè)量/泄漏檢測(cè)
用于檢測(cè)電池的 BMS 飛行電容器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

IPB029N15NM6 150V OptiMOS™ 6 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品說明
IPB029N15NM6 OptiMOS™ 6 150 V 正常電平在競(jìng)爭激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。

OptiMOS™ 6 150 V 技術(shù)旨在滿足高、低開關(guān)頻率應(yīng)用以及硬開關(guān)和軟開關(guān)的要求。

特點(diǎn)
RDS(on) 比 OptiMOS™ 5 低 40
150 V 時(shí)的業(yè)界最低 Qrr
與 OptiMOS™ 5 相比，二極管軟性得到改善
+/-500 mV 的嚴(yán)格 Vgs(th) 分布
高雪崩堅(jiān)固性
最大 Tj 為 175°C 和 MSL1

優(yōu)勢(shì)
低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
穩(wěn)定運(yùn)行，改善 EMI
并聯(lián)時(shí)可更好地分擔(dān)電流
穩(wěn)健性增強(qiáng)
提高系統(tǒng)可靠性

應(yīng)用
輕型電動(dòng)汽車 (LEV)
電機(jī)控制
電動(dòng)工具

明佳達(dá)，星際金華供應(yīng)MOSFET 晶體管：STF22NM60N，QCPL-A58JV-500E，IPB029N15NM6

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