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標(biāo)題: 抗干擾過EMI認(rèn)證原理-升壓恒流芯片F(xiàn)P7209M攝影燈車燈太陽(yáng)能應(yīng)用 [打印本頁(yè)]
作者: amyqing    時(shí)間: 2024-11-8 11:08
標(biāo)題: 抗干擾過EMI認(rèn)證原理-升壓恒流芯片F(xiàn)P7209M攝影燈車燈太陽(yáng)能應(yīng)用





1大電流路徑走線要粗，鋪銅走線最佳。



2開關(guān)切換連接點(diǎn) L1、Q2 的 Drain 與 D1，走線要短與粗，鋪銅走線最佳。



3 輸入電容 C6 靠近 HVDD 與 GND Pin，達(dá)到穩(wěn)壓與濾波功效。



4 取樣電阻 Rs 靠近 FB 與 GND Pin。 ¾ 電感電流檢測(cè)電阻 RCS 靠近 CS 與 GND Pin。 ¾ R11,R12 靠近 OVP 與 GND Pin。 ¾ FB Pin 遠(yuǎn)離開關(guān)切換點(diǎn) L1、Q2 的 Drain 與 D1，避免受到干擾。



5 輸入電容 C1,C2 的地、輸出電容 C7,C8 與 RCS的地，鋪銅走線，上下層地多打洞連接。



6 輸出電容 C7,C8 的地一定要靠近 RCS的地，可以降低開關(guān)切換突波，降低輸出高頻噪聲。



7 板子多余空間建議鋪地



EMI策略









R8 使用磁珠規(guī)格如下，C11=1nF 靠近 Q2 Gate 端，R9 與 C9 兩者靠近，且要靠近 Q2 的 Drain與 Source 端；R10 與 C10 兩者靠近，且要靠近 D1，輸出電容 C8 的地一定要靠近 Rcs 的地。




















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