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標題: MOSFET 晶體管：IMBF170R1K0M1，IMBG120R220M1H，IMBG120R090M1H [打印本頁]

作者: xingjijinhua 時間: 2024-10-19 10:47
標題: MOSFET 晶體管：IMBF170R1K0M1，IMBG120R220M1H，IMBG120R090M1H
明佳達，星際金華供求 MOSFET 晶體管：IMBF170R1K0M1，IMBG120R220M1H，IMBG120R090M1H

SiC 溝槽 MOSFET IMBF170R1K0M1 N 溝道 MOSFET 晶體管 TO-263-8 1700V

產品說明
IMBF170R1K0M1 是 CoolSiC™ 1700V SiC 溝槽 MOSFET 碳化硅 MOSFET 晶體管，可實現更高的頻率。

特點
革命性的半導體材料 - 碳化硅
針對反激式拓撲結構進行了優化
12V/0V 柵源電壓與大多數反激式控制器兼容
開關損耗極低
基準柵極閾值電壓 VGS(th) = 4.5V
完全可控的 dV/dt，用于 EMI 優化

N 溝道 IMBG120R220M1H 1200V 碳化硅溝槽 TO-263-8 MOSFET 晶體管

產品描述
IMBG120R220M1H 是采用 .XT 互聯技術的 N 溝道 1200V CoolSiC™ 碳化硅溝槽 MOSFET 晶體管。

特點
開關損耗極低
短路耐壓時間 3 µs
基準柵極閾值電壓 VGS(th) = 4.5V
采用 .XT 互連技術，具有同類最佳的散熱性能
封裝爬電和間隙距離 > 6.1mm

集成電路芯片 IMBG120R090M1H 溝槽截止 IGBT 晶體管 TO-263-8

產品描述
IMBG120R090M1H 是 CoolSiC™ 1200V SiC 溝槽 MOSFET，N 溝道 1200V 26A，表面貼裝，封裝是 TO-263-8，D²

ak（7 引線 + Tab）。

特性
漏極至源極電壓 (Vdss)： 1200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C： 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs： 125mOhm @ 8.5A，18V
Vgs(th) (Max) @ Id： 5.7V @ 3.7mA

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