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標題: 銳駿新款超低導通MOSRUH4040M、80M更適用于新產品研發 [打印本頁]

作者: H-H 時間: 2024-10-14 10:02
標題: 銳駿新款超低導通MOSRUH4040M、80M更適用于新產品研發
銳駿半導體本周正式發布兩款全新超低導通電阻MOSFET產品，型號分別為RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。這兩款產品均采用DFN5060封裝，憑借先進的制造工藝和出色的性能表現，將為客戶帶來更高效的解決方案。

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銳駿半導體本周正式發布兩款全新超低導通電阻MOSFET產品，型號分別為RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。這兩款產品均采用DFN5060封裝，憑借先進的制造工藝和出色的性能表現，將為客戶帶來更高效的解決方案。

**封裝引腳描述

N-Channel MOSFET系列 RUH4040M-B**

RUH4040M-B是一款N溝道先進功率 MOSFET，采用了先進SGT（屏蔽柵極槽）技術。是一款高效、低導通電阻的N溝道MOSFET，適合用于各種高頻、高效電源管理應用，尤其在DC/DC轉換器、無線充電和同步整流等領域表現優異。

---產品特點---

· 低導通電阻：
RDS(ON) @VGS=10V = 5.5mΩ
RDS(ON) @VGS=4.5V = 7.5mΩ
· VGS(th) = 1-3V
· Qg = 19.8nC，較低的柵極電荷，在高頻應用中具有出色的開關性能。
· 通過100%雪崩測試
· 低熱阻使其具備良好的散熱性能，適合處理高功率的場景。

---產品應用---

· DC/DC轉換器
· PD無線充電器
· 同步整流器件

N-Channel MOSFET系列 RUH4080M-B

RUH4080M-B是一款高性能的N溝道 MOSFET，采用先進SGT（屏蔽柵極槽）技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適合用于高效電源管理和高速開關的應用場景。

---產品特點---

· 超低導通電阻
RDS(ON) (typ.)@VGS=10V = 3.5mΩ
RDS(ON) (typ.)@VGS=4.5V = 4.4mΩ
· 快速開關性能
· 通過100%雪崩測試，確保在高能量條件下的穩健性
· 高電流處理能力
· 具備出色的散熱性能

---產品應用---

· 電池管理
· PD無線充電
· 電機控制與驅動

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