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標題: 【MOSFET晶體管】NTMFS4C020NT1G，NTMFS5C404NLT1G，NVMFD5C466NWFT1G（供求） [打印本頁]

作者: Mingjiada 時間: 2024-3-25 10:43
標題: 【MOSFET晶體管】NTMFS4C020NT1G，NTMFS5C404NLT1G，NVMFD5C466NWFT1G（供求）
一、NTMFS4C020NT1G：30V 邏輯電平 N 通道表面貼裝型
產品說明：NTMFS4C020NT1G是一款30V 單 N 溝道功率 MOSFET晶體管。
產品屬性：
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：47A（Ta），303A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：0.7 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：139 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：10144 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），134W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線

二、NTMFS5C404NLT1G：MOSFET - 功率，單 N 溝道 40V
產品說明：NTMFS5C404NLT1G 是一款40V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。
產品屬性：
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：40 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：52A（Ta），370A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：0.75 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：181 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：12168 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），167W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線

三、NVMFD5C466NWFT1G：MOSFET - 功率，雙 N 溝道 40V
產品說明：NVMFD5C466NWFT1G 是一款雙 N 溝道汽車功率 MOSFET晶體管，采用 5x6mm 扁平引線封裝，專為緊湊型高效設計而設計，具有高散熱性能。
產品屬性：
技術：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 N-通道（雙）
漏源電壓（Vdss）：40V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：14A（Ta），49A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：8.1 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：11nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：650pF @ 25V
功率 - 最大值：3W（Ta），38W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等級：汽車級
資質：AEC-Q101
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應商器件封裝：8-DFN（5x6）雙標記（SO8FL-雙通道）

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[MOSFET晶體管] NTMFS4C020NT1G，NTMFS5C404NLT1G，NVMFD5C466NWFT1G（供應，回收）
【供應】只做原裝，庫存器件，價格方面由于浮動不一，請以當天詢問為準！
【回收】只需原裝庫存器件，須有原廠外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時聯絡我們！

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