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標題: [MOSFET 晶體管] FDBL86210-F085，NVMFS5C638NLT1G，NVMFS5C460NLWFAFT1G（供求） [打印本頁]

作者: Mingjiada 時間: 2024-3-22 10:36
標題: [MOSFET 晶體管] FDBL86210-F085，NVMFS5C638NLT1G，NVMFS5C460NLWFAFT1G（供求）
深圳市明佳達電子，星際金華長期（供應及回收）原裝庫存器件！
[MOSFET 晶體管] FDBL86210-F085，NVMFS5C638NLT1G，NVMFS5C460NLWFAFT1G（供應，回收）
【供應】只做原裝，庫存器件，價格方面由于浮動不一，請以當天詢問為準！
【回收】只需原裝庫存器件，須有原廠外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時聯(lián)絡我們！

FDBL86210-F085：N 通道 150V 169A (Tc) 500W (Tj) 表面帖裝型
型號：FDBL86210-F085
類型：MOSFET 晶體管
產(chǎn)品說明：FDBL86210-F085 是150V、169A N 通道功率 Trench® MOSFET 晶體管，采用 8-PowerSFN 封裝。
產(chǎn)品屬性：
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：150 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：169A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：6.3 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5805 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：500W（Tj）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：8-HPSOF
封裝/外殼：8-PowerSFN

NVMFS5C638NLT1G：N 通道 60V 表面貼裝型 5-DFN（5x6）
型號：NVMFS5C638NLT1G
類型：MOSFET 晶體管
產(chǎn)品說明：NVMFS5C638NLT1G 是60V N 通道功率MOSFET 晶體管，采用 8-PowerTDFN 封裝。
產(chǎn)品屬性：
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：26A（Ta），133A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：40.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2880 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：4W（Ta），100W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線

NVMFS5C460NLWFAFT1G：表面貼裝型 N 通道 40V 5-DFN（5x6）
型號：NVMFS5C460NLWFAFT1G
類型：MOSFET 晶體管
產(chǎn)品說明：NVMFS5C460NLWFAFT1G 是 40V 單N通道功率MOSFET晶體管，采用 8-PowerTDFN 封裝。
產(chǎn)品屬性：
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：21A（Ta），78A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.5 毫歐 @ 35A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），50W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線

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