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標(biāo)題: 在TLD6098-2ES 升壓拓?fù)涞膶?duì)地短路期間，如何快速關(guān)閉通道并禁用軟啟動(dòng)重試？ [打印本頁]

作者: 芻狗 時(shí)間: 2024-3-3 22:25
標(biāo)題: 在TLD6098-2ES 升壓拓?fù)涞膶?duì)地短路期間，如何快速關(guān)閉通道并禁用軟啟動(dòng)重試？
問題：在TLD6098-2ES 升壓拓?fù)涞膶?duì)地短路期間，如何快速關(guān)閉通道并禁用軟啟動(dòng)重試？

答案：升壓拓?fù)洌ㄉ龎旱降睾蜕龎旱诫姵兀┚哂袕碾姵氐捷敵龅闹苯勇窂健Ｔ谳敵鰧?duì)地短路的情況下，TLD6098-1EP和TLD6098-2ES會(huì)連續(xù)重試軟啟動(dòng)程序，以檢測(cè)是否仍然存在短路。
連續(xù)重試會(huì)多次打開/關(guān)閉PMOS，這可能會(huì)損壞PMOS本身（功耗過高）。
為了避免損壞PMOS，一旦VOUT對(duì)地短路，可以拉低DC/PWMI引腳。
為此，可以使用帶有二極管D2和限流電阻器RLIM的網(wǎng)絡(luò)，如下圖所示：

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如果PWMI引腳上仍然存在尖峰，則可以實(shí)施一種較復(fù)雜的解決方案，即使用2個(gè)小信號(hào)MOSFET來檢測(cè)短路并相應(yīng)地驅(qū)動(dòng)PWMI（參見下圖）。

當(dāng)輸出對(duì)地短路時(shí)，上述附加電路通過禁用控制器來工作。為了讓傳感網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)偏置，需要將適當(dāng)?shù)腞LIM與PMOS并聯(lián)。當(dāng)DC-PWMI較低時(shí)，該電阻器的值高于47kOhm，以保持進(jìn)入LED的電流最小。

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