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標(biāo)題: 器件：TPS25858QRPQRQ1，NTHL067N65S3H，IPT60R050G7 規(guī)格信息 [打印本頁]

作者: Mingjiada 時(shí)間: 2024-2-29 10:51
標(biāo)題: 器件：TPS25858QRPQRQ1，NTHL067N65S3H，IPT60R050G7 規(guī)格信息
TPS25858QRPQRQ1：USB，Type-C 控制器 PMIC 25-VQFN-HR
型號：TPS25858QRPQRQ1
封裝：VQFN-25
類型：集成式 USB 充電端口
TPS25858QRPQRQ1 是一款集成式 USB 充電端口解決方案，包括一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，能夠提供高達(dá) 6.6 A 的電流，并集成了檢測和控制功能，用于實(shí)現(xiàn) USB 電池充電 1.2 和 Type-C 端口。
產(chǎn)品屬性
應(yīng)用：USB，Type-C 控制器
電流 - 供電：34µA
電壓 - 供電：5.5V ~ 26V
工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：24-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：25-VQFN-HR（3.5x4.5）

NTHL067N65S3H：650V 40A N通道晶體管通孔 TO-247-3
型號：NTHL067N65S3H
封裝：TO-247-3
類型：N通道MOSFET晶體管
NTHL067N65S3H 產(chǎn)品屬性：
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：67 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 3.9mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3750 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：266W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3
產(chǎn)品特性：
- 700 V @ TJ= 150°C
- 典型值 RDS(on)= 55 m
- 超低柵極電荷（典型值 Qg= 80 nC）
- 低有效輸出電容（Typ. Coss(eff.)= 691 pF）
- 100% 通過雪崩測試

IPT60R050G7：N通道MOSFET晶體管 600V 44A
型號：IPT60R050G7
封裝：8-PowerSFN
類型：MOSFET晶體管
IPT60R050G7 產(chǎn)品屬性：
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：600V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：44A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：50 毫歐 @ 15.9A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 800µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2670 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：245W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：PG-HSOF-8-2
封裝/外殼：8-PowerSFN

深圳市明佳達(dá)電子，星際金華（供應(yīng)及回收）原裝庫存器件！
[元器件] TPS25858QRPQRQ1，NTHL067N65S3H，IPT60R050G7（供應(yīng)，求購）
【供應(yīng)】只做原裝，庫存器件，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請以當(dāng)天詢問為準(zhǔn)！
【回收】只需原裝器件，須有原廠外包裝標(biāo)簽，有庫存的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！

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