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標(biāo)題: 干貨 | PCB設(shè)計的148項檢查項目，幫你避免不必要的錯誤！ [打印本頁]
作者: 芻狗 時間: 2023-11-26 22:27
標(biāo)題: 干貨 | PCB設(shè)計的148項檢查項目，幫你避免不必要的錯誤！
一、資料輸入階段
1、在流程上接收到的資料是否齊全（包括：原理圖、*.brd文件、料單、PCB設(shè)計說明以及PCB設(shè)計或更改要求、標(biāo)準(zhǔn)化要求說明、工藝設(shè)計說明文件）。
2、確認(rèn)PCB模板是最新的。
3、確認(rèn)模板的定位器件位置無誤。
4、PCB設(shè)計說明以及PCB設(shè)計或更改要求、標(biāo)準(zhǔn)化要求說明是否明確。
5、確認(rèn)外形圖上的禁止布放器件和布線區(qū)已在PCB模板上體現(xiàn)。
6、比較外形圖，確認(rèn)PCB所標(biāo)注尺寸及公差無誤, 金屬化孔和非金屬化孔定義準(zhǔn)確。
7、確認(rèn)PCB模板準(zhǔn)確無誤后最好鎖定該結(jié)構(gòu)文件，以免誤操作被移動位置。
二、布局后檢查階段
a：器件檢查
8、確認(rèn)所有器件封裝是否與公司統(tǒng)一庫一致，是否已更新封裝庫（用viewlog檢查運行結(jié)果）如果不一致，一定要Update Symbols。
9、母板與子板，單板與背板，確認(rèn)信號對應(yīng)，位置對應(yīng)，連接器方向及絲印標(biāo)識正確，且子板有防誤插措施，子板與母板上的器件不應(yīng)產(chǎn)生干涉。
10、元器件是否100% 放置。
11、打開器件TOP和BOTTOM層的place-bound， 查看重疊引起的DRC是否允許。
12、Mark點是否足夠且必要。
13、較重的元器件，應(yīng)該布放在靠近PCB支撐點或支撐邊的地方，以減少PCB的翹曲。
14、與結(jié)構(gòu)相關(guān)的器件布好局后最好鎖住，防止誤操作移動位置。
15、壓接插座周圍5mm范圍內(nèi)，正面不允許有高度超過壓接插座高度的元件，背面不允許有元件或焊點。
16、確認(rèn)器件布局是否滿足工藝性要求（重點關(guān)注BGA、PLCC、貼片插座）。
17、金屬殼體的元器件，特別注意不要與其它元器件相碰，要留有足夠的空間位置。
18、接口相關(guān)的器件盡量靠近接口放置，背板總線驅(qū)動器盡量靠近背板連接器放置。
19、波峰焊面的CHIP器件是否已經(jīng)轉(zhuǎn)換成波峰焊封裝。
20、手工焊點是否超過50個。
21、在PCB上軸向插裝較高的元件，應(yīng)該考慮臥式安裝。留出臥放空間。并且考慮固定方式，如晶振的固定焊盤。
22、需要使用散熱片的器件，確認(rèn)與其它器件有足夠間距，并且注意散熱片范圍內(nèi)主要器件的高度。
b：功能檢查
23、數(shù)模混合板的數(shù)字電路和模擬電路器件布局時是否已經(jīng)分開，信號流是否合理。
24、A/D轉(zhuǎn)換器跨模數(shù)分區(qū)放置。
25、時鐘器件布局是否合理。
26、高速信號器件布局是否合理。
27、端接器件是否已合理放置（源端匹配串阻應(yīng)放在信號的驅(qū)動端；中間匹配的串阻放在中間位置；終端匹配串阻應(yīng)放在信號的接收端）。
28、IC器件的去耦電容數(shù)量及位置是否合理
29、信號線以不同電平的平面作為參考平面，當(dāng)跨越平面分割區(qū)域時，參考平面間的連接電容是否靠近信號的走線區(qū)域。
30、保護電路的布局是否合理，是否利于分割。
31、單板電源的保險絲是否放置在連接器附近，且前面沒有任何電路元件。
32、確認(rèn)強信號與弱信號（功率相差30dB）電路分開布設(shè)。
33、是否按照設(shè)計指南或參考成功經(jīng)驗放置可能影響EMC實驗的器件。如：面板的復(fù)位電路要稍靠近復(fù)位按鈕。
c：發(fā)熱
34、對熱敏感的元件（含液態(tài)介質(zhì)電容、晶振）盡量遠離大功率的元器件、散熱器等熱源。
35、布局是否滿足熱設(shè)計要求，散熱通道（根據(jù)工藝設(shè)計文件來執(zhí)行）。
d：電源
36、是否IC電源距離IC過遠。
37、LDO及周圍電路布局是否合理。
38、模塊電源等周圍電路布局是否合理。
39、電源的整體布局是否合理。
e：規(guī)則設(shè)置
40、是否所有仿真約束都已經(jīng)正確加到Constraint Manager中。
41、是否正確設(shè)置物理和電氣規(guī)則（注意電源網(wǎng)絡(luò)和地網(wǎng)絡(luò)的約束設(shè)置）。
42、Test Via、Test Pin的間距設(shè)置是否足夠。
43、疊層的厚度和方案是否滿足設(shè)計和加工要求。
44、所有有特性阻抗要求的差分線阻抗是否已經(jīng)經(jīng)過計算，并用規(guī)則控制。
三、布線后檢查階段
a、數(shù)模
45、數(shù)字電路和模擬電路的走線是否已分開，信號流是否合理
46、A/D、D/A以及類似的電路如果分割了地，那么電路之間的信號線是否從兩地之間的橋接點上走（差分線例外）？
47、必須跨越分割電源之間間隙的信號線應(yīng)參考完整的地平面。
48、如果采用地層設(shè)計分區(qū)不分割方式，要確保數(shù)字信號和模擬信號分區(qū)布線。
b：時鐘和高速部分
49、高速信號線的阻抗各層是否保持一致。
50、高速差分信號線和類似信號線，是否等長、對稱、就近平行地走線？
51、確認(rèn)時鐘線盡量走在內(nèi)層。
52、確認(rèn)時鐘線、高速線、復(fù)位線及其它強輻射或敏感線路是否已盡量按3W原則布線。
53、時鐘、中斷、復(fù)位信號、百兆/千兆以太網(wǎng)、高速信號上是否沒有分叉的測試點？
54、LVDS等低電平信號與TTL/CMOS信號之間是否盡量滿足了10H（H為信號線距參考平面的高度）？
55、時鐘線以及高速信號線是否避免穿越密集通孔過孔區(qū)域或器件引腳間走線？
56、時鐘線是否已滿足（SI約束）要求（時鐘信號走線是否做到少打過孔、走線短、參考平面連續(xù)，主要參考平面盡量是GND；若換層時變換了GND主參考平面層，在離過孔200mil范圍之內(nèi)是GND過孔） 若換層時變換不同電平的主參考平面，在離過孔200mil范圍之內(nèi)是否有去耦電容）？
57、差分對、高速信號線、各類BUS是否已滿足（SI約束）要求。
c：EMC與可靠性
58、對于晶振，是否在其下布一層地？是否避免了信號線從器件管腳間穿越？對高速敏感器件，是否避免了信號線從器件管腳間穿越？
59、單板信號走線上不能有銳角和直角（一般成 135 度角連續(xù)轉(zhuǎn)彎，射頻信號線最好采用圓弧形或經(jīng)過計算以后的切角銅箔）。
60、對于雙面板，檢查高速信號線是否與其回流地線緊挨在一起布線；對于多層板，檢查高速信號線是否盡量緊靠地平面走線。
61、對于相鄰的兩層信號走線，盡量垂直走線。
62、避免信號線從電源模塊、共模電感、變壓器、濾波器下穿越。
63、盡量避免高速信號在同一層上的長距離平行走線。
64、板邊緣還有數(shù)字地、模擬地、保護地的分割邊緣是否有加屏蔽過孔？多個地平面是否用過孔相連？過孔距離是否小于最高頻率信號波長的1/20？
65、浪涌抑制器件對應(yīng)的信號走線是否在表層短且粗？
66、確認(rèn)電源、地層無孤島、無過大開槽、無由于通孔隔離盤過大或密集過孔所造成的較長的地平面裂縫、無細長條和通道狹窄現(xiàn)象。
67、是否在信號線跨層比較多的地方，放置了地過孔（至少需要兩個地平面）。
d、電源和地
68、如果電源/地平面有分割，盡量避免分割開的參考平面上有高速信號的跨越。
69、確認(rèn)電源、地能承載足夠的電流。過孔數(shù)量是否滿足承載要求,（估算方法：外層銅厚1oz時1A/mm線寬，內(nèi)層0.5A/mm線寬，短線電流加倍）。
70、對于有特殊要求的電源，是否滿足了壓降的要求。
71、為降低平面的邊緣輻射效應(yīng)，在電源層與地層間要盡量滿足20H原則。（條件允許的話，電源層的縮進得越多越好）。
72、如果存在地分割，分割的地是否不構(gòu)成環(huán)路？
73、相鄰層不同的電源平面是否避免了交疊放置？
74、保護地、-48V地及GND的隔離是否大于2mm？
75、-48V地是否只是-48V的信號回流，沒有匯接到其它地？如果做不到請在備注欄說明原因。
76、靠近帶連接器面板處是否布10~20mm的保護地，并用雙排交錯孔將各層相連？
77、電源線與其它信號線間距是否距離滿足安規(guī)要求？
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