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標(biāo)題: SI2319CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析 [打印本頁(yè)]

作者: VBsemi 時(shí)間: 2023-11-24 16:16
標(biāo)題: SI2319CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)參數(shù)說(shuō)明：P溝道，-30V，-5.6A，導(dǎo)通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23。
應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI2319CDS-T1-GE3適用于功率開關(guān)和穩(wěn)壓應(yīng)用的P溝道MOSFET。
其低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。
優(yōu)勢(shì)與適用領(lǐng)域：具有低導(dǎo)通電阻，適用于要求低功率損耗和高效率的領(lǐng)域，如電源開關(guān)、穩(wěn)壓和逆變器等模塊。

VB2355.png (64.13 KB)

SI2319CDS-T1-GE3.pdf

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