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標(biāo)題: SI2305CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析 [打印本頁]
作者: VBsemi    時(shí)間: 2023-11-23 17:34
標(biāo)題: SI2305CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
SI2305CDS-T1-GE3 (VB2290)參數(shù)說明：P溝道，-20V，-4A，導(dǎo)通電阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，閾值電壓-0.81V，封裝：SOT23。
應(yīng)用簡介：SI2305CDS-T1-GE3適用于低功率開關(guān)和電流控制等領(lǐng)域。
其低導(dǎo)通電阻和小封裝使其在緊湊場景中表現(xiàn)出色。
適用領(lǐng)域與模塊：適用于低功率開關(guān)、電流控制和模擬開關(guān)等領(lǐng)域模塊，特別適合緊湊型應(yīng)用的場景。


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VB2290.png

SI2305CDS-T1-GE3.pdf

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