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標題: SI2301DS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-11-21 17:58
標題: SI2301DS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析
SI2301DS-T1-GE3 (VB2290)參數說明:極性：P溝道；額定電壓：-20V；最大電流：-4A；導通電阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；門源電壓范圍：12Vgs (±V)閾值電壓：-0.81V；封裝：SOT23
應用簡介：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P溝道MOSFET，適用于需要控制電流的應用。
其低導通電阻使其在電流控制電路中表現出色。
常用于電源開關、電荷控制、功率放大等。
優勢：低導通電阻：減少功耗，提高效率。
可靠性：VBsemi作為知名半導體品牌，產品經過嚴格的質量控制，具有高的可靠性。
適用封裝：SOT23封裝適合空間有限的設計。
適用模塊：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 適用于需要電流控制的模塊，如電源開關模塊、電荷控制模塊等。

VB2290.png (120.36 KB)

SI2301DS-T1-GE3.pdf

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