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標題: IRLR7843TRPBF-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-11-16 14:29
標題: IRLR7843TRPBF-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析
IRLR7843TRPBF (VBE1303)參數(shù)說明:極性：N溝道；額定電壓：30V；最大電流：100A；導通電阻：2mΩ @ 10V, 3mΩ @ 4.5V；門源電壓范圍：20Vgs (±V)閾值電壓：1.9V；封裝：TO25

應(yīng)用簡介：IRLR7843TRPBF (VBE1303) 是一款N溝道MOSFET，適用于高電流和高功率應(yīng)用。
其高額定電流和低導通電阻適合高功率開關(guān)控制。
常用于電源開關(guān)、電機驅(qū)動、工業(yè)自動化等。
優(yōu)勢：高電流能力：適用于高電流和高功率應(yīng)用。
低導通電阻：降低功耗，提高效率。
適用封裝：TO252封裝適合中等功率應(yīng)用。
適用模塊：IRLR7843TRPBF (VBE1303) 適用于高功率開關(guān)控制模塊，如電源管理模塊、電機驅(qū)動模塊、工業(yè)自動化控制模塊等。

VBE1303.png (126.23 KB)

IRLR7843TRPBF.pdf

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