国产毛片a精品毛-国产毛片黄片-国产毛片久久国产-国产毛片久久精品-青娱乐极品在线-青娱乐精品

電子工程網(wǎng)

標(biāo)題: IRLR3110ZPBF-VB_MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時(shí)間: 2023-11-15 14:30
標(biāo)題: IRLR3110ZPBF-VB_MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析
IRLR3110ZPBF( VBE1101N）
參數(shù)描述：
N溝道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；3.2Vth(V)；TO252
型號(hào)參數(shù)介紹：
IRLR3110ZPBF (VBE1101N)參數(shù)說明：N溝道，100V，70A，導(dǎo)通電阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓3.2V，封裝：TO252。
應(yīng)用簡介：IRLR3110ZPBF適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。
其極低的導(dǎo)通電阻使其在低電壓降場景中性能卓越。
優(yōu)勢與適用領(lǐng)域：適用于高功率應(yīng)用，如電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等模塊。
極低的導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。

VBE1101N.png (129.23 KB)

IRLR3110ZPBF.pdf

459.67 KB, 下載積分: 積分 -1

歡迎光臨電子工程網(wǎng) (http://m.qingdxww.cn/)