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標題: IRLR3110ZPBF-VB_MOSFET產品應用與參數解析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-11-15 14:30
標題: IRLR3110ZPBF-VB_MOSFET產品應用與參數解析
IRLR3110ZPBF( VBE1101N）
參數描述：
N溝道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；3.2Vth(V)；TO252
型號參數介紹：
IRLR3110ZPBF (VBE1101N)參數說明：N溝道，100V，70A，導通電阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓3.2V，封裝：TO252。
應用簡介：IRLR3110ZPBF適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關、電機控制和逆變器等領域模塊。
其極低的導通電阻使其在低電壓降場景中性能卓越。
優勢與適用領域：適用于高功率應用，如電源開關、電機控制和逆變器等模塊。
極低的導通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。

VBE1101N.png (129.23 KB)

IRLR3110ZPBF.pdf

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