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標(biāo)題: IRLML6401TRPBF-VB_MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-11-15 14:18
標(biāo)題: IRLML6401TRPBF-VB_MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析
IRLML0100TRPBF (VB1102M)參數(shù)說明：N溝道，100V，2A，導(dǎo)通電阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓2V，封裝：SOT23。應(yīng)用簡介：IRLML0100TRPBF適用于低電壓應(yīng)用的N溝道MOSFET，常見于LED驅(qū)動、電源開關(guān)和電池管理等領(lǐng)域模塊。其低導(dǎo)通電阻有助于降低電壓降和提高效率。優(yōu)勢與適用領(lǐng)域：適用于低電壓場景，如LED驅(qū)動、便攜式設(shè)備和電池管理等模塊。低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。

VB1102M.png (64.67 KB)

IRLML0100TRPBF.pdf

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