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標題: IRFR120NTRPBF-VB_MOSFET產品應用與參數(shù)解析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-11-14 15:40
標題: IRFR120NTRPBF-VB_MOSFET產品應用與參數(shù)解析
IRFR120NTRPBF（ VBE1101M）
參數(shù)描述：
N溝道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)；TO252
型號參數(shù)介紹：
IRFR120NTRPBF (VBE1101M)參數(shù)說明：N溝道，100V，18A，導通電阻115mΩ@10V，121mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1.6V，封裝：TO252。
應用簡介：IRFR120NTRPBF適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關、電機控制和逆變器等領域模塊。
其中較大的電流承載能力使其在大電流需求場景中表現(xiàn)出色。
優(yōu)勢與適用領域：適用于高功率應用，如電源開關、電機控制和逆變器等模塊。
較大的電流承載能力滿足大電流需求。

VBE1101M.png (129.3 KB)

IRFR120NTRPBF.pdf

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