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標題: IPD640N06LG-VB_MOSFET產品應用與參數解析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-11-13 14:08
標題: IPD640N06LG-VB_MOSFET產品應用與參數解析
IPD640N06LG （VBE1638）
參數描述：
N溝道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V)；TO252
型號參數介紹：
IPD640N06LG (VBE1638)參數說明：N溝道，60V，45A，導通電阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1.8V，封裝：TO252。
應用簡介：IPD640N06LG適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關、電機控制和逆變器等領域模塊。
其高電流承載能力使其在大電流需求場景中表現出色。
適用領域與模塊：適用于高功率應用，如電源開關、電機控制和逆變器等模塊。
高電流承載能力滿足大電流需求。

VBE1638.png (68.79 KB)

IPD640N06LG.pdf

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