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標(biāo)題: IPD640N06LG-VB_MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-11-13 14:08
標(biāo)題: IPD640N06LG-VB_MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析
IPD640N06LG （VBE1638）
參數(shù)描述：
N溝道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V)；TO252
型號參數(shù)介紹：
IPD640N06LG (VBE1638)參數(shù)說明：N溝道，60V，45A，導(dǎo)通電阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1.8V，封裝：TO252。
應(yīng)用簡介：IPD640N06LG適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。
其高電流承載能力使其在大電流需求場景中表現(xiàn)出色。
適用領(lǐng)域與模塊：適用于高功率應(yīng)用，如電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等模塊。
高電流承載能力滿足大電流需求。

VBE1638.png (68.79 KB)

IPD640N06LG.pdf

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