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標(biāo)題: DTU40P06-VB_MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析 [打印本頁(yè)]

作者: VBsemi 時(shí)間: 2023-11-10 15:39
標(biāo)題: DTU40P06-VB_MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析
DTU40P06 (VBE2658)參數(shù)說明：P溝道，-60V，-22A，導(dǎo)通電阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓-1.5V，封裝：TO252。應(yīng)用簡(jiǎn)介：DTU40P06適用于功率開關(guān)和逆變器等應(yīng)用的P溝道MOSFET。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高效率和降低功率損耗。適用領(lǐng)域與模塊：適用于電源開關(guān)、逆變器和功率放大器等領(lǐng)域模塊，特別適合高功率要求的場(chǎng)景。

VBE2658.png (129.26 KB)

DTU40P06.pdf

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