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標(biāo)題: CES2312-VB_MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析 [打印本頁(yè)]

作者: VBsemi 時(shí)間: 2023-10-25 16:31
標(biāo)題: CES2312-VB_MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析
CES2312（ VB1240）
參數(shù)描述：
N溝道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)；SOT23
型號(hào)參數(shù)介紹：
CES2312 (VB1240)參數(shù)說(shuō)明：N溝道，20V，6A，導(dǎo)通電阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，門源電壓范圍8V(±V)，可調(diào)閾值電壓范圍0.45~1V，封裝：SOT23。
應(yīng)用簡(jiǎn)介：CES2312是一款中低電壓N溝道MOSFET，適用于電源開關(guān)、電機(jī)控制和穩(wěn)壓等應(yīng)用。
其低導(dǎo)通電阻和可調(diào)的閾值電壓使其在多種場(chǎng)景中具備靈活性。
優(yōu)勢(shì)與適用領(lǐng)域：具有低導(dǎo)通電阻和可調(diào)的閾值電壓，適用于要求低電壓降和靈活性的領(lǐng)域，如電池管理、便攜式設(shè)備和LED驅(qū)動(dòng)等模塊。

VB1240.png (83.9 KB)

CES2312.pdf

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