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標題: SI2312CDS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封裝 MOSFET參數(shù)應用解析 [打印本頁]

作者: VBsemi    時間: 2023-10-13 14:50
標題: SI2312CDS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封裝 MOSFET參數(shù)應用解析
SI2312CDS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET產(chǎn)品,采用SOT23-3封裝。其特性包括額定電壓為20V,額定電流為6A,RDS(ON)參數(shù)為24mΩ(在4.5V下)和33mΩ(在2.5V下),以及8Vgs(±V)的電壓限制和0.45~1Vth的閾值電壓范圍。

SI2312CDS-T1-GE3廣泛適用于多個應用領域。在電子領域,它可用于電源管理、功率轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動和開關(guān)電路等應用。在汽車領域,它可以用于汽車電子控制單元(ECU)、車身電子系統(tǒng)和照明系統(tǒng)等應用中。此外,它還適用于工業(yè)自動化、通信設備和消費電子等領域。

對于需要使用SI2312CDS-T1-GE3的模塊,可以根據(jù)其性能特點選擇適當?shù)哪K。電源管理模塊、功率轉(zhuǎn)換模塊和電機驅(qū)動模塊是常見的使用該產(chǎn)品的模塊。此外,開關(guān)電路和信號放大模塊也可能需要使用該產(chǎn)品。根據(jù)具體應用需求,選擇適當?shù)哪K是使用SI2312CDS-T1-GE3的關(guān)鍵。


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SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET Datasheet.pdf

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