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標(biāo)題: SI2312CDS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封裝 MOSFET參數(shù)應(yīng)用解析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時(shí)間: 2023-10-13 14:50
標(biāo)題: SI2312CDS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封裝 MOSFET參數(shù)應(yīng)用解析
SI2312CDS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET產(chǎn)品，采用SOT23-3封裝。其特性包括額定電壓為20V，額定電流為6A，RDS(ON)參數(shù)為24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下），以及8Vgs(±V)的電壓限制和0.45~1Vth的閾值電壓范圍。

SI2312CDS-T1-GE3廣泛適用于多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。在電子領(lǐng)域，它可用于電源管理、功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電路等應(yīng)用。在汽車領(lǐng)域，它可以用于汽車電子控制單元（ECU）、車身電子系統(tǒng)和照明系統(tǒng)等應(yīng)用中。此外，它還適用于工業(yè)自動(dòng)化、通信設(shè)備和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

對于需要使用SI2312CDS-T1-GE3的模塊，可以根據(jù)其性能特點(diǎn)選擇適當(dāng)?shù)哪K。電源管理模塊、功率轉(zhuǎn)換模塊和電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊是常見的使用該產(chǎn)品的模塊。此外，開關(guān)電路和信號(hào)放大模塊也可能需要使用該產(chǎn)品。根據(jù)具體應(yīng)用需求，選擇適當(dāng)?shù)哪K是使用SI2312CDS-T1-GE3的關(guān)鍵。

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SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET Datasheet.pdf

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