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標(biāo)題: SI2308BDS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封裝MOSFET參數(shù)應(yīng)用解析 [打印本頁(yè)]

作者: VBsemi 時(shí)間: 2023-10-13 14:40
標(biāo)題: SI2308BDS-T1-GE3-VB一款SOT23-3封裝MOSFET參數(shù)應(yīng)用解析
SI2308BDS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET產(chǎn)品，采用SOT23-3封裝。其特性包括額定電壓為60V，額定電流為4A，RDS(ON)參數(shù)為85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及20Vgs(±V)的電壓限制和1~3Vth的閾值電壓范圍。

SI2308BDS-T1-GE3適用于多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。在電源管理、功率轉(zhuǎn)換、驅(qū)動(dòng)電路和開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域中，它可以實(shí)現(xiàn)電流控制和功率轉(zhuǎn)換。此外，在汽車(chē)電子、消費(fèi)電子和通信設(shè)備等領(lǐng)域，它也有潛在的應(yīng)用。

VB1695.png (120.25 KB)

SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET Datasheet.pdf

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