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標題: NTGD3148NT1G-VB一款SOT23-6封裝 MOSFET參數應用解析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-10-12 14:13
標題: NTGD3148NT1G-VB一款SOT23-6封裝 MOSFET參數應用解析
VBsemi推出了NTGD3148NT1G型號的MOS管，其絲印型號為VB3222。該產品為雙N溝道晶體管，具備出色的性能參數。最大工作電壓為20V，最大工作電流為4.8A。導通狀態下的導通電阻（RDS(ON)）分別為22mΩ @ 4.5V和28mΩ @ 2.5V。此外，該產品支持12Vgs（±V）的驅動電壓范圍，其閾值電壓范圍為1.2~2.2V。

NTGD3148NT1G MOS管采用緊湊的SOT23-6封裝，為各種電路設計提供了高度的靈活性和集成性。在多個領域都具有廣泛的應用。在電源管理、開關電源和功率放大等領域，NTGD3148NT1G MOS管可以發揮其優越的電性能，實現高效能源轉換。在電池管理系統中，該產品可用于電池充放電管理、保護及控制。此外，在電子設備中，它還可以用于信號放大和開關控制等功能，提供可靠的性能和穩定性。

總之，NTGD3148NT1G MOS管是VBsemi為滿足不同領域需求而推出的高品質產品。其在電源管理、電池管理、信號放大和開關控制等領域的應用，為各種模塊的設計提供了高效可靠的解決方案。

VB3222.png (96.89 KB)

NTGD3148NT1G MOSFET Datasheet.pdf

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