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標(biāo)題: 干貨分享 | 高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上） [打印本頁]

作者: 芻狗 時(shí)間: 2023-9-25 08:10
標(biāo)題: 干貨分享 | 高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）

Nexperia（安世半導(dǎo)體）的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，共將分為（上）（下）兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia（安世半導(dǎo)體）氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。

從產(chǎn)品概念和設(shè)計(jì)到制造和銷售，把握好最小的細(xì)節(jié)才能助力全球最嚴(yán)苛的行業(yè)實(shí)現(xiàn)質(zhì)量和效率雙贏。Nexperia（安世半導(dǎo)體）成功的關(guān)鍵是，我們始終致力于滿足甚至超越客戶所期望的嚴(yán)格質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，這種要求嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)同樣會(huì)應(yīng)用到我們功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研發(fā)中。

安世半導(dǎo)體的產(chǎn)品基于久經(jīng)考驗(yàn)的零缺陷、六希格瑪和安全量產(chǎn)流程，滿足國際公認(rèn)的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（ISO 9000）、環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)（ISO 14001）、健康和安全標(biāo)準(zhǔn)（ISO 45001 / OHSAS 18001）或特定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（IATF 16949）要求，從而我們所有客戶都能從中受益。我們擁有自有化的晶圓加工和封裝工廠，可嚴(yán)格控制每一個(gè)生產(chǎn)環(huán)節(jié)，我們的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管也將提供與 Nexperia 其它產(chǎn)品相同水平的服務(wù)和支持。

任何新技術(shù)都需要提高可信度，因此我們?cè)谘邪l(fā)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，也做了應(yīng)用和技術(shù)方面特有的質(zhì)量和可靠性測(cè)試。

硅基氮化鎵（GaN-on-Si）：

用一種封裝實(shí)現(xiàn)高功率和高效率

電源轉(zhuǎn)換效率是推動(dòng)電力電子發(fā)展的重要因素，但功率密度和效率之間通常需要權(quán)衡。買元器件現(xiàn)貨上唯樣商城！

對(duì)于高效率和高功率密度的要求，650 V 的硅基氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管是理想的解決方案。它允許在高電壓和大電流下進(jìn)行高頻開關(guān)操作。極低的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x QGD）和反向恢復(fù)電荷（Qrr）可使器件工作在高頻以降低系統(tǒng)功耗，實(shí)現(xiàn)高效率的功率轉(zhuǎn)換。

在相同的測(cè)試電路中，與硅器件相比，反向恢復(fù)損耗低。

硅基氮化鎵：顛覆性工藝

與硅（Si）相比，III-V 化合物半導(dǎo)體，比如 GaN，通常具有性能優(yōu)勢(shì)。例如，GaN 物理性能穩(wěn)定，帶隙寬，具有耐高溫性和相當(dāng)?shù)膶?dǎo)熱性。但是，III-V 半導(dǎo)體的加工成本往往更高。在大尺寸的硅基片上生成較厚的 GaN 外延層是近期才取得的一項(xiàng)技術(shù)突破。它可以在現(xiàn)有的 8 寸晶圓廠加工制造，在功率應(yīng)用中將晶圓成本降低到具有競(jìng)爭(zhēng)力的水平。

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