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標題: [供應，求購] IMBF170R450M1，STM32G031J6M6，ADUM7441CRQZ，AUIRF5210STRL 元器件 [打印本頁]

作者: Mingjiada 時間: 2023-9-5 10:02
標題: [供應，求購] IMBF170R450M1，STM32G031J6M6，ADUM7441CRQZ，AUIRF5210STRL 元器件
【供應，求購】元器件：IMBF170R450M1，STM32G031J6M6，ADUM7441CRQZ，AUIRF5210STRL。
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IMBF170R450M1：晶體管表面貼裝型 N 通道 1700 V 9.8A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-7-13
FET 類型：N 通道
技術：SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）：1700 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：9.8A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V，15V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：450毫歐 @ 2A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 2.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：11 nC @ 12 V
Vgs（最大值）：+20V，-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：610 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）：107W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-TO263-7-13
封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

STM32G031J6M6：微控制器 IC 32 位單核 64MHz 32KB（32K x 8）閃存 8-SOIC
核心處理器：ARM® Cortex®-M0+
內核規格：32 位單核
速度：64MHz
I/O 數：6
程序存儲容量：32KB（32K x 8）
程序存儲器類型：閃存
RAM 大小：8K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
數據轉換器：A/D 8x12b SAR
振蕩器類型：外部，內部
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOIC

ADUM7441CRQZ：通用數字隔離器 1000Vrms 4 通道 25Mbps 15kV/μs CMTI 16-SSOP
技術：磁耦合
類型：通用
隔離式電源：無
通道數：4
輸入 - 側 1/側 2：3/1
通道類型：單向
電壓 - 隔離：1000Vrms
共模瞬變抗擾度（最小值）：15kV/μs
數據速率：25Mbps
傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）：50ns，50ns
脈寬失真（最大）：5ns
上升/下降時間（典型值）：2ns，2ns
電壓 - 供電：3V ~ 5.5V
工作溫度：-40°C ~ 105°C
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：16-SSOP

AUIRF5210STRL：晶體管表面貼裝型 P 通道 100 V 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
FET 類型：P 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：38A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 38A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：230 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2780 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），170W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：D2PAK
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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