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標(biāo)題: 具有出色的性價(jià)比IKWH30N65WR5XKSA1、IKW30N65WR5XKSA1 650V IGBT晶體管 [打印本頁]

作者: Mindy—mjd 時(shí)間: 2023-8-9 16:28
標(biāo)題: 具有出色的性價(jià)比IKWH30N65WR5XKSA1、IKW30N65WR5XKSA1 650V IGBT晶體管

650V TRENCHSTOP™ 5 WR5反向?qū)↖GBT是特殊反向?qū)↖GBT系列器件，針對通常在焊接逆變器應(yīng)用中的完全額定硬切換關(guān)斷進(jìn)行了優(yōu)化。這些IGBT以具有吸引力的價(jià)格提供良好性能。WR5 IGBT具有出色的性價(jià)比，建議用于焊接中的交流-直流PFC級、UPS和太陽能應(yīng)用。

特性：
功能強(qiáng)大的單片二極管，優(yōu)化用于ZCS應(yīng)用
采用TRENCHSTOP™ 5技術(shù)的優(yōu)勢如下：
高度穩(wěn)健，溫度特性穩(wěn)定
極低VCEsat和低Eoff
得益于VCEsat中的正溫度系數(shù)，可輕松實(shí)現(xiàn)并聯(lián)開關(guān)功能
低EMI
低電氣參數(shù)（取決于溫度）
按照J(rèn)ESD-022標(biāo)準(zhǔn)符合目標(biāo)應(yīng)用要求
引腳無鉛電鍍
符合RoHS指令

明佳達(dá)電子/星際金華（回收、供應(yīng)）具有出色的性價(jià)比IKWH30N65WR5XKSA1、IKW30N65WR5XKSA1 650V IGBT晶體管分立半導(dǎo)體，如有需要，請聯(lián)系陳先生qq 1668527835 咨詢。

1、IKWH30N65WR5XKSA1 IGBT 650V 75A 190W 通孔 PG-TO247-3-32
IGBT 類型：溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：75 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：90 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，30A
功率 - 最大值：190 W
開關(guān)能量：870μJ（開），400μJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷：133 nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：41ns/398ns
測試條件：400V，30A，27 歐姆，15V
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3-32

2、IKW30N65WR5XKSA1 IGBT晶體管 650V 60A 185W 通孔 PG-TO247-3
IGBT 類型：溝道
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：90 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，30A
功率 - 最大值：185 W
開關(guān)能量：990μJ（開），330μJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷：155 nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：39ns/367ns
測試條件：400V，15A，26 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：95 ns
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3

典型應(yīng)用——
焊接
功率因數(shù)校正 (PFC)
ZCS - 轉(zhuǎn)換器

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