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標(biāo)題: STM32H755XIH6/STM32H755IIT6單片機(jī)，IIS2MDCTR/ISM303DACTR三軸磁阻傳感器 [打印本頁]

作者: xingjijinhua 時(shí)間: 2023-7-29 11:33
標(biāo)題: STM32H755XIH6/STM32H755IIT6單片機(jī)，IIS2MDCTR/ISM303DACTR三軸磁阻傳感器
明佳達(dá)，星際金華供求 STM32H755XIH6/STM32H755IIT6單片機(jī)，IIS2MDCTR/ISM303DACTR三軸磁阻傳感器

STM32H755XIH6/STM32H755IIT6 ARM Cortex 單片機(jī) IC

產(chǎn)品說明
STM32H755XIH6/STM32H755IIT6基于高性能的 Arm Cortex-M7和 Cortex-M432位 RISC 核心。Cortex-M7核心工作頻率高達(dá)480MHz，Cortex-M4核心工作頻率高達(dá)240MHz。兩個(gè)核心都具有一個(gè)浮點(diǎn)單元，支持 Arm 單精度和雙精度操作和轉(zhuǎn)換，包括一套完整的 DSP 指令和一個(gè)內(nèi)存保護(hù)單元，以增強(qiáng)應(yīng)用程序的安全性。
STM32H755XIH6/STM32H755IIT6采用了高速嵌入式存儲(chǔ)器，具有2MB 的雙銀行閃存，高達(dá)1MB 的 RAM，以及廣泛的增強(qiáng)型 I/O 和外圍設(shè)備，連接到 APB 總線、 AHB 總線、2x32位多 AHB 總線矩陣和支持內(nèi)部和外部存儲(chǔ)器訪問的多層 AXI 互連。
STM32H755XIH6/STM32H755IIT6提供三個(gè) ADC、兩個(gè) DAC、兩個(gè)超低功耗比較器、一個(gè)低功耗 RTC、一個(gè)高分辨率定時(shí)器、12個(gè)通用16位定時(shí)器、兩個(gè)用于電機(jī)控制的 PWM 定時(shí)器、五個(gè)低功耗定時(shí)器、一個(gè)真正的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器(RNG)和一個(gè)加密加速單元。該設(shè)備支持四個(gè)數(shù)字濾波器的外部 sigma-delta 調(diào)制器。它們還具有標(biāo)準(zhǔn)和先進(jìn)的通信接口。

應(yīng)用
電機(jī)驅(qū)動(dòng)及應(yīng)用控制
醫(yī)療設(shè)備
工業(yè)應(yīng)用: PLC，變頻器，斷路器
打印機(jī)，掃描儀
警報(bào)系統(tǒng)，視頻對(duì)講機(jī)，暖通空調(diào)
家用音響設(shè)備
移動(dòng)應(yīng)用，物聯(lián)網(wǎng)
可穿戴設(shè)備: 智能手表

IIS2MDCTR 高精度超低功耗三軸數(shù)字輸出磁阻傳感器

產(chǎn)品說明
IIS2MDCTR 是一種高精度、超低功耗的三軸數(shù)字磁傳感器。IIS2MDCTR 的磁場動(dòng)態(tài)范圍可達(dá) ± 50高斯。IIS2MDCTR 包括支持標(biāo)準(zhǔn)，快速模式，快速模式 + 和高速(100kHz，400kHz，1MHz 和3.4 MHz)的 I2C 串行總線接口和 SPI 串行標(biāo)準(zhǔn)接口。該設(shè)備可以配置為產(chǎn)生用于磁場檢測的中斷信號(hào)。IIS2MDCTR 采用塑料陸地網(wǎng)格陣列封裝(LGA) ，可確保在 -40 °C 至 + 85 °C 的延伸溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。

特征
3個(gè)磁場通道
高斯磁動(dòng)態(tài)范圍 ± 50
16位數(shù)據(jù)輸出
SPI/I2C 串行接口
模擬電源電壓1.71 V 至3.6 V
可選擇的電源模式/分辨率
單一測量模式高達(dá)150赫茲
對(duì)硬鐵補(bǔ)償?shù)闹С?br /> 可編程中斷發(fā)生器
嵌入式自測試
嵌入式溫度傳感器

應(yīng)用
智能儀表的防篡改
位置和距離傳感器
慣性導(dǎo)航系統(tǒng)指南針
存在檢測，磁力開關(guān)
可變磁場監(jiān)測

ISM303DACTR 多功能加速度計(jì)和磁強(qiáng)計(jì)傳感器

產(chǎn)品說明
該 ISM303DACTR 是一個(gè)高性能，低功耗系統(tǒng)在封裝具有三維數(shù)字直線加速度傳感器和三維數(shù)字磁傳感器。
ISM303DACTR 具有用戶可選擇的線性加速度全尺度 ± 2g/± 4g/± 8g/16g，能夠測量從1Hz 到6400Hz 的輸出數(shù)據(jù)率的加速度。該器件具有高達(dá) ± 50高斯的磁場動(dòng)態(tài)范圍，輸出數(shù)據(jù)速率從10赫茲到150赫茲。ISM303DACTR 包括支持標(biāo)準(zhǔn)、快速模式、快速模式 + 和高速(100kHz、400kHz、1MHz 和3.4 MHz)的 I2C 串行總線接口和 SPI 串行標(biāo)準(zhǔn)接口。
ISM303DACTR 具有集成的256級(jí)先進(jìn)先出(FIFO)加速度計(jì)數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，可用于限制主機(jī)處理器的干預(yù)。
ISM303DACTR 采用塑料陸地網(wǎng)格陣列封裝(LGA) ，可確保在 -40 ° C 至 + 85 ° C 的延伸溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。

特征
3個(gè)磁場通道和3個(gè)加速通道
高斯磁動(dòng)態(tài)范圍 ± 50
± 2/± 4/± 8/16g 可選加速度滿分
高分辨率、高頻率和低功耗模式之間的動(dòng)態(tài)切換
16位數(shù)據(jù)輸出
SPI/I2C 串行接口
模擬電源電壓1.71 V 至1.98 V
可編程中斷發(fā)生器，用于自由落體，運(yùn)動(dòng)和磁場檢測
加速度計(jì)和磁強(qiáng)計(jì)的嵌入式自檢
嵌入式256級(jí) FIFO
嵌入式溫度傳感器

應(yīng)用
智能儀表中的雙模式防篡改
天線指向
運(yùn)動(dòng)跟蹤
機(jī)器人和電器
定位和導(dǎo)航系統(tǒng)
位置和距離傳感器

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