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標(biāo)題: 具有高集成度的STM32G041K8U6、STM32G041K8T6、STM32G041K6T6 32位微控制器（MCU） [打印本頁(yè)]

作者: Mindy—mjd 時(shí)間: 2023-6-30 17:26
標(biāo)題: 具有高集成度的STM32G041K8U6、STM32G041K8T6、STM32G041K6T6 32位微控制器（MCU）
明佳達(dá)電子/星際金華（供應(yīng)、回收）STM32G041K8U6、STM32G041K8T6、STM32G041K6T6 32位微控制器（MCU），如有需求，歡迎聯(lián)系陳先生qq 1668527835 咨詢。

器件概述：
STM32G0 32位微控制器 (MCU) 適合用于消費(fèi)、工業(yè)和家電領(lǐng)域的應(yīng)用，并可隨時(shí)用于物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 解決方案。這些微控制器具有很高的集成度，基于高性能ARM® Cortex®-M0+ 32位RISC內(nèi)核，工作頻率高達(dá)64MHz。該器件包含內(nèi)存保護(hù)單元 (MPU)、高速嵌入式內(nèi)存、DMA以及各種系統(tǒng)功能、增強(qiáng)型I/O和外設(shè)。該器件的工作環(huán)境溫度范圍為-40°C至85°C，工作電源電壓范圍為1.7V至3.6V。

1、STM32G041K8U6（64KB）技術(shù)參數(shù)：
核心處理器：ARM® Cortex®-M0+
內(nèi)核規(guī)格：32 位單核
速度：64MHz
連接能力：I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART
外設(shè)：欠壓檢測(cè)/復(fù)位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT
I/O 數(shù)：30
程序存儲(chǔ)容量：64KB（64K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型：閃存
EEPROM 容量：-
RAM 大小：8K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 18x12b
振蕩器類型：內(nèi)部
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：32-UFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：32-UFQFPN（5x5）

2、STM32G041K8T6（64KB）技術(shù)參數(shù)：
核心處理器：ARM® Cortex®-M0+
內(nèi)核規(guī)格：32 位單核
速度：64MHz
連接能力：I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART
外設(shè)：欠壓檢測(cè)/復(fù)位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT
I/O 數(shù)：30
程序存儲(chǔ)容量：64KB（64K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型：閃存
EEPROM 容量：-
RAM 大小：8K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 18x12b
振蕩器類型：內(nèi)部
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：32-LQFP
供應(yīng)商器件封裝：32-LQFP（7x7）

3、STM32G041K6T6（32KB）器件規(guī)格：
核心處理器：ARM® Cortex®-M0+
內(nèi)核規(guī)格：32 位單核
速度：64MHz
連接能力：I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART
外設(shè)：欠壓檢測(cè)/復(fù)位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT
I/O 數(shù)：30
程序存儲(chǔ)容量：32KB（32K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型：閃存
EEPROM 容量：-
RAM 大小：8K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 18x12b
振蕩器類型：內(nèi)部
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：32-LQFP
供應(yīng)商器件封裝：32-LQFP（7x7）

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