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標(biāo)題: 芯片：MSP430F2132IRHBR，L6491DTR，TPS259824LNRGER，STL24N60M6（規(guī)格信息） [打印本頁(yè)]

作者: Mingjiada 時(shí)間: 2023-3-3 10:39
標(biāo)題: 芯片：MSP430F2132IRHBR，L6491DTR，TPS259824LNRGER，STL24N60M6（規(guī)格信息）
芯片：MSP430F2132IRHBR，L6491DTR，TPS259824LNRGER，STL24N60M6（供應(yīng)/求購(gòu)）
深圳市明佳達(dá)電子，星際金華長(zhǎng)期（供應(yīng)及回收）以下型號(hào)，有興趣的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！

MSP430F2132IRHBR - 微控制器 IC 16 位 16MHz 8KB（8K x 8 + 256B）閃存 32-VQFN（5x5）
類(lèi)型：嵌入式 - 微控制器
I/O 數(shù)：24
程序存儲(chǔ)容量：8KB（8K x 8 + 256B）
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型：閃存
RAM 大小：512 x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.8V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 8x10b
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
封裝/外殼：32-VQFN（5x5）

型號(hào)：L6491DTR
類(lèi)型：電源管理（PMIC）柵極驅(qū)動(dòng)器
驅(qū)動(dòng)配置：半橋
通道類(lèi)型：獨(dú)立式
柵極類(lèi)型：IGBT，N 溝道 MOSFET
電壓 - 供電：10V ~ 20V
邏輯電壓 - VIL，VIH：1.45V，2V
電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：4A，4A
輸入類(lèi)型：非反相
高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：600 V
上升/下降時(shí)間（典型值）：15ns，15ns
工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
封裝/外殼：14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

TPS259824LNRGER - 電流監(jiān)控器穩(wěn)壓器 15A 24-VQFN（4x4）
類(lèi)型：電源管理（PMIC）電流調(diào)節(jié)/管理
功能：電流監(jiān)控器
精度：±5%
電壓 - 輸入：2.7V ~ 24V
電流 - 輸出：15A
工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
封裝/外殼：24-VFQFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商器件封裝：24-VQFN（4x4）

型號(hào)：STL24N60M6
類(lèi)型：?jiǎn)?FET，MOSFET晶體管
漏源電壓（Vdss）：600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：15A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：209毫歐 @ 8.5A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250uA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：960 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：109W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-PowerVDFN

深圳市明佳達(dá)電子，星際金華公司長(zhǎng)期（供應(yīng)/求購(gòu)）原裝庫(kù)存器件。
芯片：MSP430F2132IRHBR，L6491DTR，TPS259824LNRGER，STL24N60M6（供應(yīng)/求購(gòu)）
【供應(yīng)】只做原裝，庫(kù)存器件，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請(qǐng)以當(dāng)天詢(xún)問(wèn)為準(zhǔn)。
【求購(gòu)】只需原裝器件，須有原廠(chǎng)外包裝標(biāo)簽，有庫(kù)存的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們。

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