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標(biāo)題: DEC1515H-D0-I/Z2，NTMFS4C810NAT1G，NTMFS4C810NAT3G N通道晶體管 [打印本頁]

作者: xingjijinhua 時間: 2022-11-16 16:08
標(biāo)題: DEC1515H-D0-I/Z2，NTMFS4C810NAT1G，NTMFS4C810NAT3G N通道晶體管
DEC1515H-D0-I/Z2，NTMFS4C810NAT1G，NTMFS4C810NAT3G N通道晶體管

NTMFS4C810NAT1G

說明：
表面貼裝型 N 通道 30 V 8.2A（Ta），46A（Tc） 750mW（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

產(chǎn)品屬性：
FET 類型  N 通道
技術(shù)  MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）  30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)  8.2A（Ta），46A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）  5.88 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）  2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）  18.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）  ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）  987 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）  750mW（Ta），23.6W（Tc）
工作溫度  -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型  表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝  5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼  8-PowerTDFN，5 引線

NTMFS4C810NAT3G

說明：
表面貼裝型 N 通道 30 V 8.2A（Ta），46A（Tc） 750mW（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

產(chǎn)品屬性：
技術(shù)  MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）  30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)  8.2A（Ta），46A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）  5.88 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）  2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）  18.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）  ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）  987 pF @ 15 V
功率耗散（最大值） 750mW（Ta），23.6W（Tc）
工作溫度  -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型  表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝  5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼  8-PowerTDFN，5 引線

DEC1515H-D0-I/Z2：
封裝：TQFP128
批號：新

星際金華，明佳達供應(yīng) DEC1515H-D0-I/Z2，NTMFS4C810NAT1G，NTMFS4C810NAT3G N通道晶體管！

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