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標(biāo)題: RTQ2117C（RTQ2117C-QA）FS380R12A6T4LBBPSA1，IMBF170R1K0M1XTMA1 電子器件 [打印本頁]

作者: Mingjiada 時(shí)間: 2022-11-8 11:00
標(biāo)題: RTQ2117C（RTQ2117C-QA）FS380R12A6T4LBBPSA1，IMBF170R1K0M1XTMA1 電子器件
RTQ2117C（RTQ2117C-QA）FS380R12A6T4LBBPSA1，IMBF170R1K0M1XTMA1（供應(yīng)/求購）
明佳達(dá)電子/星際金華（供求）以上型號，有興趣的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！

一、RTQ2117C（RTQ2117C-QA）
具有充電端口控制器和集成 36V 3.5A 同步降壓轉(zhuǎn)換器的 USB Type-C DFP。
RTQ2117C-QA 芯片可應(yīng)用于汽車車載充電器，USB 電源充電器。

二、FS380R12A6T4LBBPSA1
配置 3 個(gè)獨(dú)立式
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值） 380 A
符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的電源模塊，專為混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車應(yīng)用. 產(chǎn)品 FS380R12A6T4LB 配有 PinFin 基板和高性能陶瓷。

三、IMBF170R1K0M1XTMA1
降低系統(tǒng)復(fù)雜性
高功率密度
1700 V SiC MOSFET能實(shí)現(xiàn)簡單高效的單端反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，適用于輔助電源
SMD（表面貼裝）封裝便于直接集成于PCB，能實(shí)現(xiàn)自然對流冷卻，無需額外的散熱器
由于產(chǎn)品封裝的爬電距離和電氣間隙增大，隔離工作量減少
CoolSiC™ 1700V CoolSiC™溝槽型碳化硅MOSFET采用TO-263-7增大爬電距離，針對反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化，適用于眾多電力應(yīng)用場合下接入直流母線電壓600 V至1000 V的輔助電源。

深圳市明佳達(dá)電子（星際金華）長期供應(yīng)及回收電子元件系列庫存呆料IC：5G 芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)IC、藍(lán)牙IC、車聯(lián)網(wǎng)IC、車規(guī)級IC、基站IC、通信IC、人工智能IC、醫(yī)療IC、家電IC、語音IC、存儲(chǔ)器IC、傳感器IC、微控制器IC、收發(fā)器IC、手機(jī)IC、蘋果手機(jī)IC/手表IC、可穿戴IC、連接器、照明IC、電容電阻、TO-247、二三極管等。

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