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標題: （54-VQFN封裝）LMG3422R050RQZR [PMIC - 全、半橋驅動器] LMG3425R050RQZR [打印本頁]

作者: Mingjiada 時間: 2022-8-17 15:26
標題: （54-VQFN封裝）LMG3422R050RQZR [PMIC - 全、半橋驅動器] LMG3425R050RQZR
LMG3422R050RQZR 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 50mΩ GaN FET
LMG3425R050RQZR 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 50mΩ GaN FET

規格：
輸出配置：半橋
應用：通用
接口：PWM
負載類型：電感，電容性，電阻
技術：MOSFET（金屬氧化物）
電流 - 輸出/通道：1.2A
電流 - 峰值輸出：1.2A
電壓 - 供電：7.5V ~ 18V
電壓 - 負載：7.5V ~ 18V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
特性：自舉電路，閂鎖功能，壓擺率受控型
故障保護：過流，超溫，UVLO
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：54-VQFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：54-VQFN（12x12）

描述：
LMG342xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150 V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和超小的振鈴�？烧{柵極驅動強度允許將壓擺率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優化開關性能。 LMG3425R050 包含理想二極管模式，該模式通過啟用自適應死區時間控制功能來降低第三象限損耗。

特征：
符合面向硬開關拓撲的 JEDEC JEP180 標準
帶集成柵極驅動器的 600-V GaN-on-Si FET
集成高精度柵極偏置電壓
200V/ns CMTI
3.6MHz 開關頻率
20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優化開關性能和緩解 EMI
在 7.5V 至 18V 電源下工作
強大的保護
響應時間少于 100 ns 的逐周期過流和鎖存短路保護
硬開關時可承受 720V 浪涌
針對內部過熱和 UVLO 監控的自我保護
高級電源管理
數字溫度 PWM 輸出
理想二極管模式可減少 LMG3425R050 中的第三象限損耗

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