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標題: （晶體管）IMBG65R039M1H [IMBG65R039M1HXTMA1] 采用緊湊型SMD封裝的SiC MOSFET [打印本頁]

作者: Mingjiada 時間: 2022-8-12 15:23
標題: （晶體管）IMBG65R039M1H [IMBG65R039M1HXTMA1] 采用緊湊型SMD封裝的SiC MOSFET
型號：IMBG65R039M1H / IMBG65R039M1HXTMA1
封裝：SMD 7 引腳
類型：碳化硅 MOSFET 分立器件 - 晶體管，采用緊湊型 SMD 封裝的 SiC MOSFET。
說明：IMBG65R039M1H CoolSiC MOSFET 650V 是一款緊湊型 SMD 7 引腳 SiC MOSFET，采用最先進的英飛凌SiC 溝槽技術構建，用于高功率應用。它經過優化，可實現最大的系統性能、緊湊性和可靠性。

特征：
低 Qrr 和 Qoss
低開關損耗
換向魯棒快速體二極管
領先的溝槽技術，具有卓越的柵極氧化物可靠性
XT 互連技術可實現一流的熱性能
增加雪崩能力
可直接集成到 PCB 中的 SMD 封裝
用于優化開關性能的檢測引腳

優勢：
高性能、高可靠性和易用性
實現高系統效率和功率密度
降低系統成本和復雜性
啟用更便宜、更簡單和更小的系統
在具有連續硬換向的拓撲中工作
適合高溫和惡劣的操作
啟用雙向拓撲

應用：
服務器
電信
開關電源
太陽能系統
儲能和電池形成
UPS
電動汽車充電
電機驅動

【供應/求購】（晶體管）IMBG65R039M1H [IMBG65R039M1HXTMA1] 采用緊湊型SMD封裝的SiC MOSFET。
深圳市明佳達電子，星際金華公司長期供應及回收晶體管：IMBG65R039M1H，IMBG65R039M1HXTMA1。
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