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標題: (晶體管)IMBG65R039M1H [IMBG65R039M1HXTMA1] 采用緊湊型SMD封裝的SiC MOSFET [打印本頁]

作者: Mingjiada    時間: 2022-8-12 15:23
標題: (晶體管)IMBG65R039M1H [IMBG65R039M1HXTMA1] 采用緊湊型SMD封裝的SiC MOSFET
型號:IMBG65R039M1H / IMBG65R039M1HXTMA1
封裝:SMD 7 引腳
類型:碳化硅 MOSFET 分立器件 - 晶體管,采用緊湊型 SMD 封裝的 SiC MOSFET。
說明:IMBG65R039M1H CoolSiC MOSFET 650V 是一款緊湊型 SMD 7 引腳 SiC MOSFET,采用最先進的英飛凌SiC 溝槽技術構建,用于高功率應用。 它經過優化,可實現最大的系統性能、緊湊性和可靠性。


特征:
低 Qrr 和 Qoss
低開關損耗
換向魯棒快速體二極管
領先的溝槽技術,具有卓越的柵極氧化物可靠性
XT 互連技術可實現一流的熱性能
增加雪崩能力
可直接集成到 PCB 中的 SMD 封裝
用于優化開關性能的檢測引腳


優勢:
高性能、高可靠性和易用性
實現高系統效率和功率密度
降低系統成本和復雜性
啟用更便宜、更簡單和更小的系統
在具有連續硬換向的拓撲中工作
適合高溫和惡劣的操作
啟用雙向拓撲


應用:
服務器
電信
開關電源
太陽能系統
儲能和電池形成
UPS
電動汽車充電
電機驅動


【供應/求購】(晶體管)IMBG65R039M1H [IMBG65R039M1HXTMA1] 采用緊湊型SMD封裝的SiC MOSFET。
深圳市明佳達電子,星際金華公司 長期供應及回收晶體管:IMBG65R039M1H,IMBG65R039M1HXTMA1。
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