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標題: 國產SRAM芯片SCLPSRAC1替代微芯23LCV512存儲器 [打印本頁]

作者: 英尚微電子    時間: 2022-7-25 17:15
標題: 國產SRAM芯片SCLPSRAC1替代微芯23LCV512存儲器
微芯Microchip存儲芯片芯片23LCV512是一款容量為512Kbit串行SRAM器件。位寬64Kx8位組織,存儲器通過簡單的串行外設接口(SPI)兼容串行總線訪問。如果應用需要更快的數據速率,則支持SDI(串行雙接口)。SRAM可以通過Vbat引腳由電池供電,從而使SRAM成為非易失性。該器件還支持對陣列的無限讀寫周期。支持的溫度范圍-40℃至+85℃。23LCV512采用標準封裝,包括8引腳SOIC、PDIP和高級8引腳TSSOP。

國產偉凌創芯(EMI)SRAM芯片SCLPSRAC1可替代微芯23LCV512存儲器。

偉凌創芯SCLPSRAC1是一款SPI SRAM靜態存儲芯片,存儲器容量大小為512Kbit。它在內部組織為64K字,每個字8位。該器件采用最先進的CMOS技術設計和制造,以提供高速性能和低功耗。

SCLPSRAC1工作溫度范圍:-40℃~+85℃,電源電壓范圍2.7V~3.6V,工作電流最大2mA@1MHz,待機電流最大15μA@25℃,具備SPI兼容接口,最大時鐘頻率20MHz。我司英尚微電子作為偉凌創芯EMI總代理商,可提供樣品測試及產品相關技術支持。

串行SRAM是一種獨立的易失性存儲器,它為您提供了一種簡單且廉價的方式來為您的應用程序添加更多ram。這些8引腳低功耗、高性能SRAM器件具有無限的耐用性和零寫入時間,使其成為涉及連續數據傳輸、緩沖、數據記錄、音頻、視頻、互聯網、圖形和其他數學和數據密集型應用的理想選擇功能。





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