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標題: DN3525N8-G（MOS場效應管）250V 6Ohm，STM32F407VGT6TR（高達1MB的閃存）微控制器 [打印本頁]

作者: Mingjiada 時間: 2022-7-20 11:59
標題: DN3525N8-G（MOS場效應管）250V 6Ohm，STM32F407VGT6TR（高達1MB的閃存）微控制器
DN3525N8-G（MOS場效應管）250V 6Ohm，STM32F407VGT6TR（高達1MB的閃存）微控制器

DN3525N8-G：MOS場效應管，MOSFET 250V 6Ohm。
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：250 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：360mA（Tj）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：6 歐姆 @ 200mA，0V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） -
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：350 pF @ 25 V
FET 功能：耗盡模式
功率耗散（最大值）：1.6W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：TO-243AA（SOT-89）
封裝/外殼：TO-243AA

STM32F407VGT6TR -- 微控制器 IC 32 位單核 168MHz 1MB（1M x 8）閃存 100-LQFP（14x14）
內核規格：32 位單核
速度：168MHz
I/O 數：82
程序存儲容量：1MB（1M x 8）
程序存儲器類型：閃存
RAM 大小：192K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.8V ~ 3.6V
數據轉換器：A/D 16x12b；D/A 2x12b
振蕩器類型：內部
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：100-LQFP
供應商器件封裝：100-LQFP（14x14）

供求 DN3525N8-G（MOS場效應管）250V 6Ohm，STM32F407VGT6TR（高達1MB的閃存）微控制器。
明佳達電子/星際金華供應和回收芯片：DN3525N8-G，STM32F407VGT6TR。
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