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標題: 安泰測試給西安電子科技大學某實驗室提供方案—(十二)TSP-2000-CV 分立器件特性測試 [打印本頁]

作者: oho23    時間: 2022-5-6 15:47
標題: 安泰測試給西安電子科技大學某實驗室提供方案—(十二)TSP-2000-CV 分立器件特性測試
TSP-2000-CV 分立器件 CV 特性測試
半導體器件 C-V 特性測試方案
系統背景
交流 C-V 測試可以揭示材料的氧化層厚度,晶圓工藝 的界面陷阱密度,摻雜濃度,摻雜分布以及載流子壽 命等,通常使用交流 C-V 測試方式來評估新工藝,材料,器件以及電路的質量和可靠性等。比如在 MOS 結構中, C-V 測試可以方便的確定二氧化硅層厚度 dox、襯底 摻雜濃度 N、氧化層中可動電荷面密度 Q1、和固定電 荷面密度 Qfc 等參數。
C-V 測試要求測試設備滿足寬頻率范圍的需求,同時連線簡單,系統易于搭建,并具備系統補償功能,以 補償系統寄生電容引入的誤差。
進行 C-V 測量時,通常在電容兩端施加直流偏壓,同時利用一個交流信號進行測量。一般這類測量中使用 的交流信號頻率在 10KHz 10MHz 之間。所加載的 直流偏壓用作直流電壓掃描,掃描過程中測試待測器 件待測器件的交流電壓和電流,從而計算出不同電壓下的電容值。
CV 特性測試方案中,同時集成了美國吉時利公司 源表(SMU)和合作伙伴針對 CV 測試設計的專用精 密 LCR 分析儀。源表 SMU 可以輸出正負電壓,電壓 輸出分辨率高達 500nV。同時配備的多款 LCR 表和 CT8001 直流偏置夾具,可以覆蓋 100Hz~ 1MHz 頻 率和正負 200V 電壓范圍內的測試范圍
方案特點
包含 C-V(電容 - 電壓),C-T(電容 - 時間),C-F (電容 - 頻率)等多項測試測試功能,C-V 測試最 多同時支持測試四條不同頻率下的曲線
測試和計算過程由軟件自動執行,能夠顯示數據和 曲線,節省時間
提供外置直流偏壓盒,最高偏壓支持到正負 200V, 頻率范圍 100Hz - 1MHz
支持使用吉時利 24XX/26XX 系列源表提供偏壓
測試功能
電壓 - 電容掃描測試
頻率 - 電容掃描測試
電容 - 時間掃描測試
● MOS 器件二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度等參數的計算
原始數據圖形化顯示和保存
MOS 電容的 C-V 特性測試方案
系統結構
系統主要由源表、LCR 表、探針臺和上位機軟件組成。 LCR 表支持的測量頻率范圍在 0.1Hz~ 30MHz。源表 (SMU) 負責提供可調直流電壓偏置,通過偏置夾具盒 CT8001 加載在待測件上。
LCR 表測試交流阻抗的方式是在 HCUR 端輸出交流電 流,在 LCUR 端測試電流,同時在 HPOT LPOT 端 測量電壓值。電壓和電流通過鎖相環路同步測量,可 以精確地得到兩者之間的幅度和相位信息,繼而可以 推算出交流阻抗參數。
典型方案配置
系統參數
下表中參數以 PCA1000 LCR 表和 2450 源表組成的 C-V 測試系統為例:
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