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標(biāo)題: 富士通FRAM技術(shù)和工作原理 [打印本頁]

作者: 英尚微電子 時(shí)間: 2021-4-22 17:14
標(biāo)題: 富士通FRAM技術(shù)和工作原理
存儲設(shè)備（主要指存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品）通常分為兩種類型。一種是“易失性存儲器”——數(shù)據(jù)在斷電時(shí)消失，如DRAM。另一種類型則是“非易失性存儲器”——數(shù)據(jù)在斷電時(shí)不會消失，這意味著數(shù)據(jù)一旦被寫入，只要不進(jìn)行擦除或重寫，數(shù)據(jù)就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。

富士通FRAM技術(shù)和工作原理

FRAM是運(yùn)用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲又可以像RAM一樣操作。

•當(dāng)一個(gè)電場被加到鐵電晶體時(shí)，中心離子順著電場的方向在晶體里移動(dòng)，當(dāng)離子移動(dòng)時(shí)，它通過一個(gè)能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置記憶體。

•移去電場后中心離子保持不動(dòng)，記憶體的狀態(tài)也得以保存。

•材料本身的遲滯特性的兩個(gè)穩(wěn)定點(diǎn)代表0或1的極化值。

FRAM的特點(diǎn)

獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”，F(xiàn)RAM是存儲界的實(shí)力派。除非易失性以外，F(xiàn)RAM還具備三大主要優(yōu)勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲器無法比擬的。

其中FRAM寫入次數(shù)壽命高達(dá)10萬億次、而EEPROM僅有百萬次(10^6)。同時(shí)，F(xiàn)RAM寫入數(shù)據(jù)可在150ns內(nèi)完成、速度約為EEPROM的1/30,000，寫入一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的功耗僅為150nJ、約為EEPROM的1/400，在電池供電應(yīng)用中具有無與倫比的優(yōu)勢。

富士通FRAM憑借高讀寫耐久性、高速寫入和超低功耗的獨(dú)特特質(zhì)，近年來在Kbit和Mbit級小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域開始風(fēng)生水起，在各種應(yīng)用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。

作者: liuqi99168 時(shí)間: 2021-6-18 18:14
學(xué)習(xí)了

作者: 英尚微電子 時(shí)間: 2021-6-23 16:59
獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”，F(xiàn)RAM是存儲界的實(shí)力派。除非易失性以外，F(xiàn)RAM還具備三大主要優(yōu)勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲器無法比擬的。

作者: 英尚微電子 時(shí)間: 2021-6-23 17:00
FRAM寫入次數(shù)壽命高達(dá)10萬億次、而EEPROM僅有百萬次(10^6)。同時(shí)，F(xiàn)RAM寫入數(shù)據(jù)可在150ns內(nèi)完成、速度約為EEPROM的1/30,000，寫入一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的功耗僅為150nJ、約為EEPROM的1/400，在電池供電應(yīng)用中具有無與倫比的優(yōu)勢。

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