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標(biāo)題: 肖特基二極管的結(jié)構(gòu)與封裝 [打印本頁]

作者: 我愛電子 時間: 2011-8-18 08:54
標(biāo)題: 肖特基二極管的結(jié)構(gòu)與封裝
肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構(gòu)成，如圖4-44所示。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極）時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變��；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。

肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。

采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。它有單管式和對管（雙二極管）式兩種封裝形式，如圖4-45所示。

肖特基對管又有共陰（兩管的負(fù)極相連）、共陽（兩管的正極相連）和串聯(lián)（一只二極管的正極接另一只二極管的負(fù)極）三種管腳引出方式，見圖4-46。

采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式。

作者: spy007868 時間: 2013-9-29 08:57
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