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標(biāo)題:
晶振的匹配電容
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作者:
ipolo
時(shí)間:
2011-8-16 09:08
標(biāo)題:
晶振的匹配電容
晶振的標(biāo)稱值在測(cè)試時(shí)有一個(gè)“負(fù)載電容”的條件,在工作時(shí)滿足這個(gè)條件,振蕩頻率才與標(biāo)稱值一致。一般來講,有低負(fù)載電容(串聯(lián)諧振晶體),高負(fù)載電容(并聯(lián)諧振晶體)之分。在電路上的特征為:晶振串一只電容跨接在IC兩只腳上的,則為串聯(lián)諧振型;一只腳接IC,一只腳接地的,則為并聯(lián)型。如確實(shí)沒有原型號(hào),需要代用的可采取串聯(lián)諧振型電路上的電容再并一個(gè)電容,并聯(lián)諧振電路上串一只電容的措施。例如:4.433MHz晶振,并一只3300PF電容或串一只70P的微調(diào)電容。
常見的晶振大多是二只腳,3腳的晶振是一種集晶振和電容為一體的復(fù)合元件。由于在集成電路振蕩端子外圍電路中總是以一個(gè)晶振(或其它諧振元件)和兩個(gè)電容組成回路,為便于簡化電路及工藝,人們便研制生產(chǎn)了這種復(fù)合件。其3個(gè)引腳中,中間的1個(gè)腳通常是2 個(gè)電容連接一起的公共端,另外2個(gè)引腳即為晶振兩端,也是兩個(gè)電容各自與晶振連接的兩端。由此可見,這種復(fù)合件可用一個(gè)同頻率晶振和兩個(gè) 100~200pF的瓷片電容按常規(guī)連接后直接予以代換。
單片機(jī)晶振旁的2個(gè)電容是晶體的匹配電容,只有在外部所接電容為匹配電容的情況下,振蕩頻率才能保證在標(biāo)稱頻率附近的誤差范圍內(nèi)。最好按照所提供的數(shù)據(jù)來,如果沒有,一般是30pF左右。太小了不容易起振。在某些情況下,也可以通過調(diào)整這兩個(gè)電容的大小來微調(diào)振蕩頻率,當(dāng)然可調(diào)范圍一般在10ppm量級(jí)。晶振等效于電感/電容/內(nèi)阻
作者:
fdjlz78
時(shí)間:
2011-8-19 13:11
哦
作者:
steed5168
時(shí)間:
2011-8-21 14:14
謝謝分享!!!
作者:
spy007868
時(shí)間:
2013-9-27 08:05
復(fù)制下來!!!!!!!我自己好好學(xué)習(xí)!!!!!!!!!!!!!
謝謝.jpg
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2013-9-27 08:04 上傳
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