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標題: 雙極型晶體管的輸出特性及參數 [打印本頁]

作者: ipolo 時間: 2011-8-15 10:31
標題: 雙極型晶體管的輸出特性及參數
輸出特性可分為三個區

★截止區：發射結和集電結均為反向偏置。IE0，IC0，UCEEC，管子失去放大能力。如果把三極管當作一個開關，這個狀態相當于斷開狀態。
★飽和區：發射結和集電結均為正向偏置。在飽和區IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE0，IC=EC／RC，把三極管當作一個開關，這時開關處于閉合狀態。
★放大區：發射結正偏，集電結反偏。

放大區的特點是：

◆IC受IB的控制，與UCE的大小幾乎無關。因此三極管是一個受電流IB控制的電流源。
◆特性曲線平坦部分之間的間隔大小，反映基極電流IB對集電極電流IC控制能力的大小，間隔越大表示管子電流放大系數b越大。
◆伏安特性最低的那條線為IB=0，表示基極開路，IC很小，此時的IC就是穿透電流ICEO。
◆在放大區電流電壓關系為：UCE=EC-ICRC, IC=βIB
◆在放大區管子可等效為一個可變直流電阻。

極間反向電流：是少數載流子漂移運動的結果。

集電極－基極反向飽和電流ICBO ：是集電結的反向電流。

集電極－發射極反向飽和電流ICEO ：它是穿透電流。

ICEO與CBO的關系：

特征頻率：由于晶體管中PN結結電容的存在，晶體管的交流電流放大系數會隨工作頻率的升高而下降，當的數值下降到1時的信號頻率稱為特征頻率。

極限參數

★最大集電極耗散功率如圖所示。
★最大集電極電流 :使b下降到正常值的１／２～２／３時的集電極電流稱之為集電極最大允許電流。
★極間反向擊穿電壓：晶體管的某一電極開路時，另外兩個電極間所允許加的最高反向電壓即為極間反向擊穿電壓，超過此值的管子會發生擊穿現象。溫度升高時，擊穿電壓要下降。

是發射極開路時集電極-基極間的反向擊穿電壓，這是集電結所允許加的最高反向電壓。
是基極開路時集電極-發射極間的反向擊穿電壓，此時集電結承受的反向電壓。
是集電極開路時發射極-基極間的反向擊穿電壓，這是發射結所允許加的最高反向電壓。
溫度對的影響：是集電結加反向電壓時平衡少子的漂移運動形成的，當溫度升高時，熱運動加劇，更多的價電子有足夠的能量掙脫共價鍵的束縛，從而使少子的濃度明顯增大，增大。
溫度每升高10 時，增加約一倍。硅管的比鍺管的小得多，硅管比鍺管受溫度的影響要小。
溫度對輸入特性的影響：溫度升高，正向特性將左移。
溫度對輸出特性的影響：溫度升高時增大。
光電三極管：依據光照的強度來控制集電極電流的大小。
暗電流ICEO：光照時的集電極電流稱為暗電流ICEO，它比光電二極管的暗電流約大兩倍；溫度每升高25 ，ICEO上升約10倍。
光電流：有光照時的集電極電流為光電流。當足夠大時，決定于入射光照度。

作者: spy007868 時間: 2013-10-2 07:52
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