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標(biāo)題: AO4618那些事兒 [打印本頁(yè)]

作者: Cinderella0922 時(shí)間: 2019-8-30 16:11
標(biāo)題: AO4618那些事兒
AO4618那些事兒

一般說明
AO4618采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，可提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這種互補(bǔ)的N和P溝道MOSFET配置是低輸入電壓逆變器應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品摘要
N-ChannelP-Channel
VDS=40V40V
ID=8A(VGS=10V)-7A(VGS=-10V)
RDS(ON) RDS(ON)
<19m (VGS=10V)<23m (VGS=-10V)
<27m (VGS=4.5V)<30m (VGS=-4.5V)
100% UIS Tested 100% UIS Tested
100% RgTested 100% Rg Tested

規(guī)格參數(shù)
描述：MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOIC
類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
系列：-
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
電流-連續(xù)漏極（ld）@25°C：8A，7A
Id 時(shí)的Vgs（th）（最大）：2.4V@250uA
輸入電容（Ciss）@Vds：422pF@20V
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC
家庭：FET-陣列
FET型：N和P溝道
漏極至源極電壓（Vdss）：40V
開態(tài)Rds（最大）@Id，Vgs@25°C：19室歐@8A，10V
閘電荷（Qg）@Vgs：9nC@10V
功率-最大：2W
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
包裝：帶卷（TR）

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