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q §實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/div>

掌握MOSFET的輸入特性測(cè)試及分析方法

§掌握MOSFET的輸出特性測(cè)試及分析方法

§學(xué)習(xí)利用MOSFET的電學(xué)特性曲線求解各種參數(shù)

q q實(shí)驗(yàn)原理

§金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是集成電路中特別重要的元器件。通過對(duì)MOSFET的直流輸入特性、輸出特性等電學(xué)特性測(cè)試，可以推算出器件的閾值電壓、導(dǎo)通電阻、擊穿電壓、跨導(dǎo)等重要參數(shù)。

q 實(shí)驗(yàn)設(shè)備和測(cè)試結(jié)果

附錄二：MSO電容的準(zhǔn)靜態(tài)CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)

q 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/font>

§ 掌握準(zhǔn)靜態(tài)法測(cè)量界面態(tài)密度分布的原理

§ 熟練掌握準(zhǔn)靜態(tài)C-V測(cè)量系統(tǒng)的使用方法

q 實(shí)驗(yàn)原理

§ 通過測(cè)試MOS電容的高頻和低頻C-V特性曲線可以得到柵氧化層厚度、界面

態(tài)密度、平帶電容、平帶電壓等參數(shù)。

q 實(shí)驗(yàn)設(shè)備和測(cè)試結(jié)果

附錄三：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn)

q 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/font>

§ 理解和掌握霍爾效應(yīng)的原理

§ 掌握霍爾效應(yīng)的測(cè)量方法

§ 掌握霍爾效應(yīng)的分析方法

q 實(shí)驗(yàn)原理

§ 霍爾系數(shù)的符號(hào)來判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型，是N型還是P型；根據(jù)霍爾系數(shù)及其與溫度的關(guān)系可以計(jì)算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關(guān)系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質(zhì)電離能；通過霍爾系數(shù)和電阻率的聯(lián)合測(cè)量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應(yīng)法可測(cè)縱向載流子濃度分布；測(cè)量低溫霍爾效應(yīng)可以確定雜質(zhì)補(bǔ)償度。

q 實(shí)驗(yàn)設(shè)備和測(cè)試結(jié)果


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附錄四：激光二極管LD的LIV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)

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• 掌握激光二極管LD的基本原理

• 掌握激光二極管LD的測(cè)量方法

• 學(xué)習(xí)利用激光二極管LD的LIV特性曲線求解各種參數(shù)

q 實(shí)驗(yàn)原理

§ 半導(dǎo)體激光二極管（LD）或簡(jiǎn)稱半導(dǎo)體激光器，它通過受激輻射發(fā)光，是一種閾值器件，適合于作高速長距離光纖通信系統(tǒng)的光源。一般用注入電流值來標(biāo)定閾值條件，也即閾值電流。LIV特性是選擇半導(dǎo)體激光器的重要依據(jù)。

q 實(shí)驗(yàn)設(shè)備和測(cè)試結(jié)果

附錄五:太陽能電池的特性表征

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§ 掌握太陽能電池的基本原理

§ 掌握太陽能電池的特性測(cè)試及分析方法

§ 學(xué)習(xí)利用太陽能電池的電學(xué)特性曲線求解各種參數(shù)

q 實(shí)驗(yàn)原理

§ 光能就以產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的形式轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔堋Ｈ绻雽?dǎo)體內(nèi)存在P-N結(jié)，則在P型和N型交界面兩邊形成勢(shì)壘電場(chǎng)，能將電子驅(qū)向N區(qū)，空穴驅(qū)向P區(qū)，在P-N結(jié)附近形成與勢(shì)壘電場(chǎng)相反的光生電場(chǎng)。若分別在P型層和N型層焊上

金屬引線，接通負(fù)載，則外電路便有電流通過。如此形成的一個(gè)個(gè)電池原件，

把它們串聯(lián)、并聯(lián)起來，就能產(chǎn)生一定的電壓和電流，輸出功率。

q 實(shí)驗(yàn)設(shè)備和測(cè)試結(jié)果

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實(shí)驗(yàn)名稱	測(cè)試參數(shù)
金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)	· 輸出特性曲線 · 轉(zhuǎn)移特性曲線 · 跨導(dǎo)gm · 擊穿電壓BVDS
四探針法測(cè)量半導(dǎo)體電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn)	· 四探針法電阻率ρ · 材料阻值R
MOS電容的準(zhǔn)靜態(tài)CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)	· 準(zhǔn)靜態(tài)CV特性曲線
半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn)	· 霍爾電壓VH · 霍爾電阻率ρ · 霍爾系數(shù)RH · 載流子濃度n · 霍爾遷移率u
激光二極管LD的LIV特性測(cè)試	· LIV特性曲線 · 閾值電流Ith · 閾值電流對(duì)應(yīng)電壓值Vth · 拐點(diǎn)Kink · 線性電阻Rs
太陽能電池的特性表征	· 開路電壓Voc · 短路電流Isc · 功率最大值Pmax · 填充因子FF · 轉(zhuǎn)換效率η · 串聯(lián)電阻Rs · 旁路電阻Rsh

	2600雙通道源表專業(yè)測(cè)試軟件專業(yè)測(cè)試導(dǎo)線夾具盒				積分球暗電流測(cè)試表開關(guān)		手動(dòng)探針臺(tái)	磁場(chǎng)
實(shí)驗(yàn)一：晶圓級(jí)分立器件IV特性分析	√	√	√	√			√
實(shí)驗(yàn)二：四探針發(fā)測(cè)量半導(dǎo)體電阻率測(cè)試	√ √ √						√
實(shí)驗(yàn)三：MOS電容的準(zhǔn)靜態(tài)CV特性測(cè)試	√	√	√				√
實(shí)驗(yàn)四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試	√ √ √ √						√ √
實(shí)驗(yàn)五：光電器件LIV特性測(cè)試	√	√	√		√	√
實(shí)驗(yàn)六：太陽能電池的特性表征	√ √ √

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