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標題: 肖特基二極管的作用 [打印本頁]

作者: xunavc 時間: 2019-1-30 11:16
標題: 肖特基二極管的作用
　　肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管，是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管,簡稱肖特基二極管。與普通二極管（多指用PN結形成的硅二極管）相比最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降更低，僅0.4V左右。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流較大。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管（比如開關電源次極整流二極管），續流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。而普通二極管只能用在低頻整流場合，耐壓可以做得更高。
　　肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。典型的肖特基整流管的內部電路結構是以N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來消除邊緣區域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。
　　綜上所述，肖特基整流管的結構原理與PN結整流管有很大的區別通常將PN結整流管稱作結整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數的一致性。
　　肖特基二極管BAR43SFILM http://www.dzsc.com/ic-detail/9_2875.html的詳細規格參數
　　產品: Schottky Diodes
　　安裝風格: SMD/SMT
　　封裝 / 箱體: SOT-23
　　If - 正向電流: 100 mA
　　Vrrm - 重復反向電壓: 30 V
　　Vf - 正向電壓: 1 V
　　Ifsm - 正向浪涌電流: 0.75 A
　　配置: Dual Series
　　技術: Si
　　Ir - 反向電流 : 0.5 uA
　　最小工作溫度: - 65 C
　　最大工作溫度: + 150 C
　　系列: BAR43
　　封裝: Cut Tape
　　封裝: MouseReel
　　封裝: Reel
　　高度: 0.95 mm
　　長度: 2.9 mm
　　工作溫度范圍: + 150 C
　　端接類型: SMD/SMT
　　類型: Small Signal Schottky Diode
　　寬度: 1.3 mm
　　商標: STMicroelectronics
　　CNHTS: 8541100000
　　HTS Code: 8541100070
　　MXHTS: 85411001
　　產品類型: Schottky Diodes & Rectifiers
　　工廠包裝數量: 3000
　　子類別: Diodes & Rectifiers
　　TARIC: 8541100000
　　trr - 反向恢復時間 : 5 ns
　　單位重量: 8 mg

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