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標題: MOS管SUD50P06-15-GE3的產(chǎn)品特性： [打印本頁]

作者: xunavc 時間: 2018-12-4 15:03
標題: MOS管SUD50P06-15-GE3的產(chǎn)品特性：
MOS管SUD50P06-15-GE3  http://www.dzsc.com/ic-detail/9_97.html的產(chǎn)品特性：
VISHAY > MOS管
制造商       Vishay
產(chǎn)品種類       MOSFET
安裝風格       SMD/SMT
封裝/箱體       TO-252-3
通道數(shù)量       1Channel
晶體管極性       P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓       60V
Id-連續(xù)漏極電流       50A
RdsOn-漏源導通電阻       15mOhms
Vgsth-柵源極閾值電壓       3V
Vgs-柵極-源極電壓       20V
Qg-柵極電荷       165nC
最小工作溫度       -55C
最大工作溫度       +150C
配置       Single
Pd-功率耗散       113W
通道模式       Enhancement
商標名       TrenchFET
封裝       CutTape
封裝       Reel
高度       2.38mm
長度       6.73mm
系列       SUD
寬度       6.22mm
商標       Vishay/Siliconix
正向跨導-最小值       61S
下降時間       175ns
產(chǎn)品類型       MOSFET
上升時間       70ns
工廠包裝數(shù)量       2000
子類別       MOSFETs
典型關閉延遲時間       175ns
典型接通延遲時間       15ns
單位重量       1.438g

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