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標(biāo)題: 官宣：銀聯(lián)寶首推低壓mos管！ [打印本頁(yè)]

作者: 2159419736 時(shí)間: 2018-10-23 10:30
標(biāo)題: 官宣：銀聯(lián)寶首推低壓mos管！
銀聯(lián)寶首次推出低壓mos管。下面小編呢就重點(diǎn)給大家介紹一下什么是低壓mos管！
一、什么是低壓mos管
mos管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。

二、低壓mos的主要參數(shù)：
1.開(kāi)啟電壓VT
·開(kāi)啟電壓（又稱(chēng)閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；
·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；
·通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流輸入電阻RGS
mos管·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比、這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。
漏源擊穿電壓BVDS
·在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱(chēng)為漏源擊穿電壓BVDS
·ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿
·有些MOS管中，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID
4. 柵源擊穿電壓BVGS
·在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VGS，稱(chēng)為柵源擊穿電壓BVGS。
5. 低頻跨導(dǎo)gm
·在VDS為某一固定數(shù)值的條件下，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱(chēng)為跨導(dǎo)·gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)
6. 導(dǎo)通電阻RON
·導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響，是漏極特性某一點(diǎn)切線(xiàn)的斜率的倒數(shù)
·在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
7. 極間電容
·三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS。
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