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標(biāo)題: 淺談銀聯(lián)寶12V1A的電源芯片TB6812！ [打印本頁(yè)]

作者: 2159419736 時(shí)間: 2018-9-21 10:37
標(biāo)題: 淺談銀聯(lián)寶12V1A的電源芯片TB6812！
12V1A路由器開(kāi)關(guān)電源芯片TB6812的特點(diǎn)：
1、具有多形式操控，專利EMI優(yōu)化，高集成度高性價(jià)比。
2、優(yōu)化的動(dòng)態(tài)操控是優(yōu)異的動(dòng)態(tài)呼應(yīng)才能，優(yōu)化的環(huán)路操控是作業(yè)穩(wěn)定，無(wú)異音，SR（同步整流）兼容性高。
3、具有高度集成是線損補(bǔ)償技能，集成線電壓，電感恒流補(bǔ)償技能。
4、該芯片有短路維護(hù)(SUP)\過(guò)載維護(hù)（OLP）\芯片過(guò)熱維護(hù)（OTP）\逐周期電流約束前沿消隱（LEB）\VDD過(guò)壓\欠壓維護(hù)。
12V1A開(kāi)關(guān)電源芯片TB6812內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以進(jìn)步電流輸出才能，進(jìn)步變換功率并下降芯片溫度。該芯片處于開(kāi)關(guān)作業(yè)形式，只適用于DCM和QR作業(yè)形式的開(kāi)關(guān)電源體系。
當(dāng)芯片TB6812檢測(cè)VDET<-400mV，操控器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET開(kāi)啟；當(dāng)芯片檢測(cè)到功率MOSFET流過(guò)的電流下降到閾值-10mV時(shí)，操控器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET封閉。該芯片供給了極為全面的輔佐功用，包括輸出欠壓維護(hù)、輸出過(guò)壓鉗位和輸出欠壓提示等功用。內(nèi)置高壓發(fā)動(dòng)電路可支持體系輸出電壓低至2V時(shí)，該芯片仍能正常。

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