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標(biāo)題: 自主創(chuàng)新的開關(guān)電源芯片TB1211--銀聯(lián)寶 [打印本頁]

作者: 2159419736 時(shí)間: 2018-5-25 10:13
標(biāo)題: 自主創(chuàng)新的開關(guān)電源芯片TB1211--銀聯(lián)寶
由于這些移動(dòng)設(shè)備對于耗電有著更嚴(yán)苛的要求，應(yīng)用更為復(fù)雜，相關(guān)市場對多種電源管理芯片的需求不斷增加，進(jìn)一步推動(dòng)未來電源管理芯片技術(shù)和市場的發(fā)展。整體而言，電源管理芯片已朝向多相式與大電流等設(shè)計(jì)方向發(fā)展，以滿足新一代移動(dòng)設(shè)備對小尺寸、低耗電和高轉(zhuǎn)換效率等要求。銀聯(lián)寶自主創(chuàng)新符合新時(shí)代要求的開關(guān)電源芯片—TB1211。
TB1211是一款高性能低成本的PWM控制功率器，適用于離線是小功率降壓型應(yīng)用場合，外圍電路簡單，器件個(gè)數(shù)少，同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。
TB1211集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能；VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過載保護(hù)和VDD過壓保護(hù)等。
TB1211封裝是SOP-8,VDD是芯片供電管腳，同時(shí)作為輸出電壓反饋端（FB懸空時(shí)），典型用VDD電容推薦采用1uF陶瓷電容。GND是是芯片的參考地。FB反饋輸入管腳，該引腳懸空時(shí)默認(rèn)12V輸出。CS是峰值電流檢測管腳。Drain是內(nèi)部高壓MOSFET漏極。

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