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標(biāo)題: 同步降壓動力總成設(shè)計？很簡單 [打印本頁]

作者: eba 時間: 2017-6-29 17:59
標(biāo)題: 同步降壓動力總成設(shè)計？很簡單

作者： Brian Curbo，安森美半導(dǎo)體

同步降壓動力總成設(shè)計是當(dāng)今最普遍使用的轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)之一，但為中低壓同步降壓轉(zhuǎn)換器選擇合適的動力總成元件可能是一項艱巨的任務(wù)。設(shè)計人員必須從一系列看似無限的器件中選擇功率MOSFET，簡單的質(zhì)量因數(shù)(FOM)比較通常不會有最佳的轉(zhuǎn)換能效或成本。要縱觀全局，如果通過常規(guī)方法嘗試，必須使用實(shí)際的電路中損耗和能效數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，這是一個繁瑣和耗時的過程。如果通過手工計算來指定無源元件，如輸出濾波電感、電容器和緩沖器，也會是耗時費(fèi)力的。考慮到工程師們所面臨的這些挑戰(zhàn)，安森美半導(dǎo)體開發(fā)了一種新型同步降壓動力總成設(shè)計工具。

完整的動力總成設(shè)計和分析

新的同步降壓動力總成設(shè)計工具提供完整的動力總成系統(tǒng)的設(shè)計和分析，包括功率MOSFET、輸出電感、輸出電容和可選的緩沖，所以您可以在更短的時間完成一個方案。它的工作原理就像電源設(shè)計工具Power Supply WebDesigner一樣。在幾分鐘內(nèi)完成一個設(shè)計，只需輸入您的系統(tǒng)要求，點(diǎn)擊“自動完成”，或在所有的設(shè)計步驟中使用指導(dǎo)設(shè)計來微調(diào)，從損耗和能效分析到原理圖、物料單(BOM)和設(shè)計報告。具備有用的“信息注釋”，無需參考應(yīng)用注釋。建基于我們用于分立元件分析的FETBench ，支持單、雙級對稱和雙級不對稱（功率級）配置的達(dá)250V BVDSS的MOSFET。至于最終的靈活性方面，您仍然可以結(jié)合任何您想用的控制器或驅(qū)動器來使用。

快速“自動設(shè)計”或分步微調(diào)

同步降壓動力總成工具通過指導(dǎo)的器件選擇，自動搜索MOSFET的綜合數(shù)據(jù)庫，并推薦滿足您的系統(tǒng)要求的高邊和低邊開關(guān)。用戶可以從合適器件的預(yù)排序列表中任選另一個FET。可以簡單和迅速地在所選表格的右邊對用于不同的高邊和低邊FET的參數(shù)數(shù)據(jù)、損耗和結(jié)溫進(jìn)行比較。完成動力總成，推薦和選擇一個真正的電感器編碼，并根據(jù)系統(tǒng)要求指定輸出電容器。最后，還可以指定用于開關(guān)節(jié)點(diǎn)的R-C緩沖器。

易于對比MOSFET數(shù)據(jù)和性能

新的同步降壓型動力總成設(shè)計工具擁有提高的精度，通過MOSFET的損耗計算，包括迭代的Rds(on)對比溫度的影響和可選的定制熱阻抗來調(diào)整您的印刷電路板設(shè)計。可以輸入您的首選控制器/驅(qū)動器數(shù)據(jù)，如獨(dú)立的高低邊門極驅(qū)動電壓、源/汲電阻、延遲時間和門阻尼電阻以實(shí)現(xiàn)更高的精度。

此工具提供更詳細(xì)的損耗和能效分析，如產(chǎn)生MOSFET損耗的明細(xì)（傳導(dǎo)、開關(guān)、反向恢復(fù)等）。動力總成總損耗可按各元件分析，并為各種不同的輸入和負(fù)載條件提供損耗和能效圖。

MOSFET損耗明細(xì)

詳細(xì)的損耗和能效分析

該工具的開發(fā)結(jié)合了安森美半導(dǎo)體工程師幾十年的電源訣竅。通過內(nèi)置所有這些功能和靈活性，您將實(shí)現(xiàn)用更少的時間和精力完成您的動力總成方案。所以別擔(dān)心，今天點(diǎn)擊: https://www.fairchildsemi.com.cn/design/design-tools/sync-buck-powertrain/

開始一個同步降壓動力總成設(shè)計。欲了解我們更多的在線設(shè)計工具，請訪問我們的設(shè)計工具頁面: https://www.fairchildsemi.com.cn/design/design-tools/sync-buck-powertrain/

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